功率器件
关于功率半导体分立器件分类,功率半导体按照器件结构,分为二极管、功率晶体管、晶闸管等,其 率晶体管分为双极性结型晶体管(BJT)、结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)等。
一、按照功率处理能力,分为低压小功率半导体分立器件、 率半导体分立器件、大功率半导体分立器件和高压特大功率半导体分立器件。
二、按照控制电路信号对器件的控制程度,可分为不可控型、半控型和全控型。
不可控器件:不能通过控制信号来控制其通断的功率半导体分立器件, 器件为功率二极管;
半控器件:通过控制信号能够控制其导通而不能控制其关断的功率半导体分立器件, 器件为晶闸管及其大部分派生器件;
全控器件:通过控制信号既能够控制其导通,又能够控制其关断的功率半导体分立器件, 器件有绝缘栅双极晶体管、功率场效应晶体管、门极可关断晶闸管等;
三、按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,可分为单极型器件、双极型器件和复合型器件。
按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质, (除功率二极管外)可分为电流驱动型与电压驱动型。
电流驱动型:通过从控制端注入或抽出电流实现其关断的功率半导体分立器件。
电压驱动型:通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号实现导通或关断的功率半导体器件。
四、按照功率半导体器件衬底材料的不同,现有的功率半导体分立器件的材料可分为三代:
代半导体材料主要是以锗(早期产品,现已不常见)和硅为 。
第二代半导体材料主要是以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为 的化合物半导体材料。
第三代半导体材料主要是以即碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为 的宽禁带半导体材料。
来源:藤谷电子
审核编辑 :李倩
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