DS2431和DS28E07的区别

我们的1-Wire 1Kb EEPROM芯片产品组合包括DS2431和DS28E07。两种设备在功能方面非常相似，都有四个 256 位的内存页。它们实现相同的命令和内存结构。

DS2431 与 DS28E07

但是，DS2431和DS28E07之间有1个参数差异，如下表所示。（表<>）

表 1.DS2431和DS28E07之间的差异总结

 

-	-	DS2431			DS28E07			-
参数	条件	最小值	类型。	麦克斯	最小值	类型。	麦克斯	单位
1 线上拉电压	-	2.8	-	5.25	3.0	-	5.25	V
写零低时间	小时速度	52.1	-	120	60	-	120	微秒
恢复时间	从速度	2	-	-	3	-	-	微秒
编程电流	-	-	-	0.8	-	-	1.2	mA
编程时间	-	-	-	10	-	-	12	ms
写入/擦除周期	@25 C	200k	-	-	10k	-	-	cycles
	@85 C	50k	-	-	10k	-	-
数据保留	@85 C	40	-	-	10	-	-	年
-	-	类型			类型			-
包	-	TO-92， TSOC， 2SFN， TDFN-EP， UCSPR			TO-92、TSOC 和 TDFN-EP			-

让我们更详细地了解这些差异。

1-Wire上拉电压 （VPUP)

DS28E07的最小电压比DS0高2.2431V，可能会影响工作电压低于3V的应用。

写零低时间 （tW0L)

DS2431的最短时间为52.1μs，DS28E07的最短时间为60μs。DS9097U 和 DS9490 等传统适配器与 DS28E07 不兼容。

恢复时间 （tREC)

DS28E07在过驱速度下的最短恢复时间比DS1长2431us。使用过载速度时，应用程序的时序配置可能需要更改。

编程电流（IPROG)

DS28E07的较高编程电流可能需要更硬的1-Wire上拉电阻或使用强上拉电阻。

编程时间 （tPROG)

DS28E07的编程时间稍长，为12ms，可能需要固件更新才能满足这一要求。

写入/擦除周期 （NCY)

DS2431在25C时的最小写/擦除周期为200，000次，在85C时为50，000次周期，而DS28E07在25C和85C时的最小写入/擦除周期为10，000次。如果您需要超过 10，000 个写入/擦除周期，这可能会对您的应用程序产生影响。

数据保留 （tDR)

DS28E07的数据保留明显低于DS2431。如果内存保留要求不足，这可能会对应用程序产生影响。

Package

DS2431采用TO-92、TSOC、2SFN、TDFN-EP和UCSPR封装，而DS28E07仅采用TO-92、TSOC和TDFN-EP封装。如果您的应用需要DS28E07中没有的封装，这可能会产生影响。

总之，如果应用允许，您可以轻松地在DS2431和DS28E07之间切换。

审核编辑：郭婷