东芝推出有助于减小贴装面积的智能功率器件

 

—小型高边和低边开关（8通道）—

 
中国上海，2023年2月7日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出两款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”，用于可控制电机、螺线管、灯具和其他应用（如工业设备的可编程逻辑控制器）中使用的感性负载的驱动。高边开关（8通道）“TPD2015FN”和低边开关（8通道）“TPD2017FN”从今日开始出货。
 

 
新产品使用东芝的模拟器件整合工艺（BiCD）[1]，实现0.4Ω（典型值）的导通电阻，比东芝现有产品[2]低50%以上。TPD2015FN和TPD2017FN均采用SSOP30封装[3]，其贴装面积是现有产品[2]所用SSOP24[4]封装的71%左右，高度是SSOP24封装的80%，同时引脚间距缩小到0.65mm。这些改进有利于缩小设计尺寸。
 
新产品的最高工作温度是110℃，高于现有产品[2]的85℃，支持工作温度更高的应用。此外，两款新产品还内置过流保护和过热保护电路，有助于提高设计的可靠性。
 

应用：

-      工业可编程逻辑控制器
-     数控机床
-     变频器／伺服器
-     IO-Link控制设备
 

特性：

-     内置N沟道MOSFET（8通道）和控制电路的单芯片IC
（高边开关TPD2015FN具有内置电荷泵。）
-     采用小型SSOP30封装，贴装面积相当于SSOP24封装的71%左右
-     内置保护功能（过热、过流）
-     高工作温度：Topr（最大值）＝110℃
-     低导通电阻：RDS(ON)＝0.4Ω（典型值）@VIN＝5V，Tj＝25℃，IOUT＝0.5A
 

主要规格：

（除非另有说明，@Ta＝25℃）

器件型号			TPD2015FN	TPD2017FN
封装			SSOP30
绝对最大额定值	供电电压VDD（V）		-0.3至40.0	-0.3至6.0
	输入电压VIN（V）		-0.3至6.0
	VDDx－OUTx耐压VDSS（V）­­		50.0	–
	输出耐压VOUT（V）		–	50.0
	输出电流IOUT（A）		内部限制
	功率耗散PD（W）		1.8
	工作温度Topr（℃）		-40至110
	结温Tj（℃）		150
	储存温度Tstg（℃）		-55至150
工作范围	工作供电电压VDD(opr)（V）	@Tj＝25℃	8至40	2.7至5.5
电气特性	导通电阻RDS(ON)典型值（Ω）	@VDD＝12V（TPD2015FN） ／5V（TPD2017FN）， VIN＝5V， IOUT＝0.5A，Tj＝25℃	0.40
输出数量			8
保护功能			热关断
			过流保护
库存查询与购买			在线购买	在线购买

 
注：
[1] 双极CMOS-DMOS
[2] 东芝现有产品：TPD2005F和TPD2007F
[3] SSOP30封装：9.7mm×7.6mm×1.2mm（典型值）
[4] SSOP24封装：13.0mm×8.0mm×1.5mm（典型值）
 
如需了解相关新产品的更多信息，请访问以下网址：
TPD2015FN
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.TPD2015FN.html
TPD2017FN
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.TPD2017FN.html
 
如需了解TPD2017FN的应用信息，请访问以下网址：
TPD2017FN应用说明
https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did＝143320
 
如需了解相关新产品在线分销商网站的供货情况，请访问以下网址：
TPD2015FN
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPD2015FN.html
TPD2017FN
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPD2017FN.html
 
 
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