氮化镓晶体管应用范围

1.作为第三代半导体的天之骄子，氮化镓晶体管日益引起工业界的重视，且被更大规模应用。

2.GaN具备很多性能优势，比如更大的禁带宽度、更高的临界场强，所以氮化镓功率器件具有高耐压、低导通电阻、寄生参数小等优异特性。当应用于开关电源领域中，具有损耗小、工作频率高、可靠性高等优点，可以大大提升开关电源的效率、功率密度和可靠性等性能。

3.与硅材料的功率半导体不同，氮化镓晶体管通过两种不同禁带宽度（通常是AlGaN和GaN）材料在交界面的压电效应形成的二维电子气（2DEG）来导电，由于二维电子气只有高浓度电子导电，因此不存在硅MOSFET的少数载流子复合（即体二极管反向恢复）的问题。

3.目前业界的氮化镓晶体管产品是平面结构，即源极，门极和漏极在同一平面内，这与与超级结技术(Super Junction)为代表的硅MOSFET的垂直结构不同。

4.门极下面的P-GaN结构形成了前面所述的增强型氮化镓晶体管。漏极旁边的另一个p-GaN结构是为了解决氮化镓晶体管中常出现的电流坍陷(Current collapse)问题。英飞凌科技有限公司的CoolGaN产品的基材（Substrate）采用硅材料，这样可以大大降低氮化镓晶体管的材料成本。

5.由于硅材料和氮化镓材料的热膨胀系数差异很大，因此在基材和GaN之间增加了许多过渡层(Transition layers)，从而保证氮化镓晶体管在高低温循环，高低温冲击等恶劣工况下不会出现晶圆分层等失效问题。