RGWxx65C系列IGBT在FRD＋IGBT的车载充电器案例中，开关损耗降低67%

内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT：RGWxx65C系列

关键词	• SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD） • Hybrid型的IGBT • 显著降低损耗 • RGWxx65C系列 • 650V耐压 • 与使用Si快速恢复二极管（Si FRD）的IGBT相比，开通损耗显著降低 • 可在更宽的工作频率范围内实现97%以上的高效率 • 符合AEC-Q101标准

 

RGWxx65C系列是使用低损耗SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）作为IGBT续流二极管的Hybrid型IGBT，与使用快速恢复二极管（FRD）的IGBT相比，可以显著降低损耗。该系列产品非常适用于电气化车辆（xEV）中的车载充电器和DC/DC转换器、太阳能发电用的功率调节器和工业逆变器等处理大功率的汽车电子设备和工业设备。目前推出的650V耐压产品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。

＜内置SiC二极管的IGBT：RGWxx65C系列的亮点＞

使用SiC SBD作为续流二极管的Hybrid IGBT

650V耐压，IC(100℃) 30A/40A/50A有3种可选

通过使用SiC SBD，显著降低了导通时的开关损耗

用于xEV车载充电器时的损耗降低情况

① 与使用Si快速恢复二极管（Si FRD）的IGBT相比，开关损耗降低67%

② 与损耗比IGBT更低的Super Junction MOSFET（SJ-MOSFET）相比，开关损耗降低了24%

符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101

在降低应用产品的功耗方面具有非常高的性价比

ROHM官网免费提供应用指南和SPICE模型等丰富的设计数据

TO-247N封装（TO-263L表贴型封装产品正在开发中）

使用SiC SBD可显著减少开通损耗，并大大降低应用产品的功耗

“RGWxx65C系列”是使用ROHM的低损耗SiC SBD作为IGBT续流二极管的IGBT产品。与使用Si快速恢复二极管（Si FRD）的IGBT相比，开通损耗显著降低。在用于车载充电应用的案例中，开关损耗降低了67%，整体损耗降低了56%。此外，在与通常被认为比IGBT损耗更少的SJ-MOSFET进行比较的例子中，开关损耗可以降低24%。

此外，还可以在更宽的工作频率范围内实现97%以上的高效率，在工作频率为100kHz时与IGBT相比效率提高3%，可进一步降低车载和工业设备应用的功耗。

此外，RGWxx65C系列在替换现有的IGBT时，基本不需要改变电路板或元器件常数等，因此可以轻松且高性价比地提高效率。

符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性IGBT

RGWxx65C系列符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，不仅可用于车载应用，还可放心地用于各种工业设备。

应用示例

车载充电器

车载DC/DC转换器

光伏逆变器（功率调节器）

不间断电源（UPS）

各种工业设备用变频器

Hybrid IGBT：RGWxx65C系列的产品阵容

目前，已推出TO-247N封装的3款机型。TO-263L表贴型封装产品正在开发中。

 

RGW60TS65CHR	650	30	1.5	SiC SBD	YES	TO-247N
RGW80TS65CHR	40
RGW00TS65CHR	50
☆ RGW40NL65CHRB	20	TO-263L (LPDL)
☆ RGW50NL65CHRB	25
☆ RGW60NL65CHRB	30
产品名称	耐压 VCES(V)	集电极电流 IC@100℃ (A)	开通损耗 VCE(sat) Typ(V)	续流 二极管	符合 AEC-Q101 标准	封装

 

☆：开发中
※ 封装采用JEDEC标准。（）内表示ROHM封装。

审核编辑 黄宇