三极管基本开关电路原理图讲解

前一篇介绍了三极管的基本特性和饱和状态，并引出了三极管开关应用，这次对三极管开关做一个详细的介绍。

前篇介绍了三极管基本开关电路，如下图

R1为基极电阻，控制基极电流，R2作用时在没有输入信号时保证三极管处于截止状态。

一、高速开关

在高速开关转化中，由于容性效应（三极管导通时有基极电流流过，基区内积累电子，当输入为0时，基区电子不能立即消失）输出波形会比输入波形滞后一定时间（us级别），为了提高开关速度，可以采用以下两种方法

1）加速电容

如下图所示

给基极电阻R1并联小容量电容，当输入信号上升、下降时能够使基极电阻瞬间被旁路并提供基极电流，三极管能迅速从基区取出电子，消除开关时间滞后。该加速电容的选取根据实际测量的波形确定，一般是几十皮法到几百皮法。

2）肖特基箝位

如下图

这种电路有一个问题就是输出的上升沿不是很陡，这是由于R1与晶体管密勒效应构成低通滤波器的影响。为了提高上升速度，需要减小R1值。该电路还有一个需要注意的是D1的反向电压要大于VCC，大家分析一下Q1关断的情况就明白原因了。

上述两个电路就是提升开关速度的解决方案，方案1采用加速电容，但是会降低输入阻抗，如果前级电路驱动能力较低时可采用方案2。

二、感性负载

当三极管开关接的是感性负载时，需要用一个二极管与负载并联如下图

三、大电流驱动（达林顿连接）

如下图所示

这时Ic=IB*hFE1*hFE2