COT控制模式简述-7

描述

COT控制模式系列:

  1. COT控制模式简述part1
  2. COT控制模式简述part2
  3. COT控制模式简述part3
  4. COT控制模式简述part4
  5. COT控制模式简述part5
  6. COT控制模式简述part6

在上一期中,有朋友问12V哪里来的? 在数据中心场合或者服务器等48V和12V的母线都是比较常见的。据我熟知的而言,48V仍然要转换成12V的bus,作为母线电压输入。因此,这是一个比较常见的例子。

被我忽略的一点是,电容的RMS电流,流入电容的电流会引起电容温升,有些电容制作商会给出RMS电流和温升的关系曲线,更利于计算和选择。比较推荐使用的是X6S或者X7R这种温度范围较宽的陶瓷电容。

输入电容的RMS电流计算公式为

陶瓷电容

暂时抛出两个计算式以做补充。接下来,就可以搭一个简单的SIMetrix/SIMPLIS仿真模型。根据之前几期的介绍,首先需要搭建一个恒定导通定时器,当然,都是基于行为模型,精度仅够学习观摩使用,各位模拟设计的大佬,多多担待。

陶瓷电容

图27 恒定导通时间定时器

首先,需要获得与Vin成正比的电流源,可以使用压控流源直接转换成电容充电电流ichar,也可以使用如图所示的流控流源,它将输入电压/Ron的电流转换成电容充电电流ichar。后者这种情况更接近于实际底层的设计,因此姑且采用这种形式。ichar是一个与Vin成正比的可控恒流源,电容电压将会线性上升,被送入比较器的负端。比较器的正端接了一个模拟启动过程的电路,当系统刚启动时,输出电压为0,此时将电容电压vsaw无法与输出电压比较,比较器完全失去功效。在输出电压建立之前,使用一个200mV的内部基准做为比较器的正端输入,这也对应着Ton的最小导通时间;当输出电压大于200mV时,再切换至输出电压做为比较器的正端输入,就可以完成Ton与输出电压成正比的要求。

陶瓷电容

图29 COT定时器的模拟波形

S3是一个理想的Switch,用来对电容电压放电,从而形成锯齿波的下降沿,它的触发信号在COT控制模式中是由驱动脉冲结束的信号控制,此处仅作定时器的验证,使用比较器的反向输出信号做为触发信号。电压源V2设置成一个从0开始的ramp信号,升到1V时保持。用于模拟输出电压软启动的过程。

从仿真波形上看,完全和设想的一致,比较器的正端在先由200mV开始,达到比较器触发点时,斜坡上升,最后保持在1V。相应的,Ton定时器的锯齿波信号的幅值跟随变化,由于比较器的斜率固定,Ton的时间一直会也会跟随变化。

Ton时间可以计算为

陶瓷电容

调整电容C1和Ron就可以获得需要的Ton值,按照图的参数计算Ton=128ns,Ton_min=26ns。

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图30 COTToff min定时器

同样地,最小关断时间的定时器可以如法炮制,此时可以使用一个简单的恒流源给电容充电,需要注意的是,当Toff_min时间结束的时候,电容C2的正端电压vsaw_toff会大于200mV,比较器输出电平为高,而这个高信号需要一直保持住,直到下一个Ton的脉冲上升沿到来,才对电容进行放电,以释放这个状态。而电容电压又不可一直充电,否则充电电压会很高,所以使用一个钳位稳压管使得稳压值略大于200mV即可。

陶瓷电容

图31 基本的COT控制模式的框图

我们来说下它的具体的控制逻辑,设定的输出电容的ESR较大于临界值。

利用分压电阻采样输出电压,获得反馈电压vfb信号,与基准电压600mV比较,当vfb低于600mV时,比较器U1输出高电平,而此时的Toff_min定时器的输出跟上述的那样保持高电平的状态。

那么与门U5的两个输入全为高电平,其输出信号U5-OUT为高电平。这个信号输入RS latch的S端,置位Q信号,Q此时拉高,若忽略死区时间,Q即作为上管的原始驱动信号,QN则为下管的原始驱动信号。此时上管开通,电感电流线性上升,对应的输出电压的ESR纹波也会线性上升,反馈电压vfb的纹波电压也在线性上升。

此时,Q拉高还会开通switchS6,将Toff_min定时器电容上的电压放电,也即将Toff_min定时器的输出拉低,也即是将U5-OUT信号拉低,这保证了RS latch的逻辑不会同时出现高的情况,其S上只会出现一个短暂脉冲。

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图32 COT控制模式基本逻辑和主要波形

此时,Q拉高,意味着QN拉低,QN拉低断开了switch S3,此时Ton定时器就开始从0开始充电,当电容C1的电压大于Vout(或者200mV的基准电压),比较器U2的输出发生翻转拉高,此时RS latch的R端为高电平,S端为低电平,输出信号Q拉低,结束Ton时间的驱动脉冲信号,QN则拉高,使得switch S3闭合,Ton定时器电容C1放电到0,比较器U2的输出再次翻转拉低。因此,也保证了RS latch的逻辑,其R上只会出现一个短暂脉冲。

当Q拉低时,同时关断了switchS6,启动了Toff_min定时器。Toff定时器电容C6电压一直上升,超过200mV时,比较器U6会一直拉高,直到下一个开关周期来临。

讲到这里,基本的逻辑思路已经很清晰了。但是有一个疑问,怎么保证Toff_min的确可以在瞬态响应中完成了关断上管Toff_min时间呢?当负载电流增加时,输出电压会产生undershoot,此时反馈电压vfb会持续小于基准电压600mV,可能会保持几个周期。也就说,比较器U1的输出会一直拉高,保持几个周期。当系统开通第一个Ton时间后,Q信号启动Toff_min定时器,当比较器U6拉高时,与门U5的两个输入信号全为高电平,又启动了下一个Ton时间。因而,可以证明,在vfb一直小于基准电压时,上管的确可以完成Toff_min时间的关断。

陶瓷电容

图33 undershoot瞬态下Toff_min的验证

根据上述的逻辑,跑一次undershoot的瞬态,可以看出底部浅绿色Toff_min的波形,在动态时刻仅以三角波形式出现,而在其他时刻以梯形波出现。因此的确,如上述逻辑所述那样。

顺便提一点,仿真模型仅仅是为了提高一个更直观的理解,加深对系统思想的理解,也作为个人逻辑思想的验证工具,千万不要为了仿真而仿真。如果你想获得和实际中一毛一样的仿真模型,那需要深入到更底层的半导体物理和CMOS模拟电路设计领域,还要考虑杂散参数等问题。这对于Simplis工具来说是不适用的,也偏离了建立Simplis模型的初衷。

这种仿真模型对模拟IC设计者而言,就像一个已经不适合成年人玩耍的儿童玩具,显得有些拙劣。如果能为系统设计者或者电源应用设计者提供一些微小的帮助,笔者已经颇感欣慰了。

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