氮化镓半导体器件驱动设计

1.氮化镓(GaN)功率半导体技术和模块式设计的进步，使得微波频率的高功率连续波(CW)和脉冲放大器成为可能。

2.通过减少器件的寄生元件，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。作为反射频电子战(CREW)应用的首选技术，GaN已有成千上万的放大器交付实际使用。

3.现在，该技术也被部署到机载电子战领域，开发中的放大器能够在RF/微波范围的多个倍频程上提供数百瓦的输出功率。

4.随着5G、新能源车的快速发展，我国第三代半导体也正面全面爆发。据第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲透露，双循环模式推动国产化替代，2020年中国SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)电力电子和微波射频产值预计将约为70亿元。

5.随着AI、数据中心、5G、新能源汽车、直流供电等的快速发展，功率半导体将迎来快速增长，预计2020~2025年复合增长率会超过10%。骆薇薇说，功率半导体未来主要增长将集中在第三代半导体，电压等级主要会集中在30伏、150伏、650伏、900伏以上。

6.2023年对氮化镓（GaN）系统的预测，囊括了功率半导体的供应链对数据中心和新能源汽车与日俱增的可持续性监管。该文表示我们正处于功率氮化镓（GaN）技术的转折点，随着电动化大趋势的到来和越来越多的包含半导体产品的出现，经济的赢家和输家主要取决于那些能够更好管理其供应链的人，这些供应链不仅能够为企业和消费者生产现有产品，还能在不久的将来点燃创新之火。