模拟技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor,GTR)的低导通压降两方面的优点。
IGBT 的安全可靠与否主要由以下因素决定:
1 IGBT 栅极与发射极之间的电压;
2 IGBT 集电极与发射极之间的电压;
3 流过IGBT 集电极-发射极的电流;
4 IGBT 的结温。
IGBT功率半导体的主要应用领域有哪些?
1 光伏产业
2 电网及家电
3 新能源汽车
4 轨道交通
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