模拟技术
1.在过去几年中,氮化镓(GaN)在半导体技术中显示出巨大的潜力,适用于各种高功率应用。与硅基半导体器件相比,氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙(WBG)半导体,具有快速的开关速度,更高的击穿强度和高导热性。
2. 氮化镓晶体可以在蓝宝石,碳化硅(SiC),硅(Si)等多种衬底上生长。为了在硅上实现这种增长,仍然可以使用现有的制造基础设施,从而消除了对昂贵的生产场地的需求,并以低成本利用现成的大直径硅晶圆。
3.硅上氮化镓具有广泛的未来应用,扩展了当前的HEMT功能,将功率水平提高到1kW以上。该技术可帮助设计人员提高工作电压,并将频率响应从Ka波段推入E波段、W波段和太赫兹空间。
4.硅基氮化镓 LED 的其他优点包括:效率非常之高,甚至当以非常低的功率,驱动器件时也不例外;具有可以调整的发射轮廓,可以通过塑造芯片的形状来创建更好的光发射器。
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