硅基氮化镓介绍

随着5G和6G通信技术的进一步开发和应用，相关基础电路和硬件技术的发展面临着越来越严峻的挑战。为了紧跟无线通信技术的快速发展步伐，业界对多种新技术开展了硬件应用技术层面的评估。氮化镓技术成为最具发展潜力的新兴技术之一。

硅基氮化镓技术简介

硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。

图 硅基氮化镓制造工艺流程示意图

图3所示为硅基氮化镓制造工艺流程的示意图，如同制造原子弹一样，看似原理很简单，但其过程并非没有挑战。事实证明，由于两种材料晶格常数的差异，容易产生严重的晶格失配，因此，想从硅衬底中生长高质量的氮化镓薄膜异常困难。正是由于这一原因，硅基氮化镓技术还无法广泛应用于射频领域，以意法半导体和镁可为代表的业界头部公司在该技术上持续注入了大量研发资金。

硅基氮化镓成为射频半导体行业前沿技术之时正值商用无线基础设施发展的关键时刻。硅基氮化镓相比于LDMOS技术的性能优势已经过验 证，这推动了其在最新一代4G LTE基站中广泛应用，并使其定位为最适合未来5G无线基础设施的实际促技术，其轰动性市场影响可能会远 远超出手机连接领域，而将涉足运输、工业和娱乐应用等领域

来源： 工信部电子知识产权中心，巧酱人综合整理

       审核编辑 ：李倩