多极碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)单片微波集成电路(MMIC)器件

X-波段产品组合提供支持多级增益的解决方案，从而减少发射链路中所需要的器件数量。

它们包括了不同的功率等级以优化系统性能，并提供多种平台以优化系统架构。浏览表1，了解更多产品细节和性能数据。

四款新型多极碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）单片微波集成电路（MMIC）器件。

进一步扩展射频（RF）解决方案范围，适用于包括海事、气象监测和新兴的无人机系统雷达等在内的脉冲和连续波 X-波段相控阵应用。

制造商： Infineon

产品种类： MOSFET

RoHS：  详细信息

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

封装 / 箱体： TISON-8

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 25 V

Id-连续漏极电流： 50 A， 50 A

Rds On-漏源导通电阻： 2.4 mOhms， 3.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 16 V， + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.6 V

Qg-栅极电荷： 5.6 nC， 20 nC

最小工作温度： - 55 C

最大工作温度： + 150 C

Pd-功率耗散： 2.5 W， 6.25 W

通道模式： Enhancement

商标名： OptiMOS

封装： Cut Tape

封装： MouseReel

封装： Reel

配置： Dual

高度： 1.15 mm

长度： 6 mm

系列： OptiMOS 5

晶体管类型： 2 N-Channel

宽度： 5 mm

商标： Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值： 46 S， 90 S

下降时间： 1.4 ns， 2.6 ns

产品类型： MOSFET

上升时间： 4.7 ns， 4.3 ns

工厂包装数量： 5000

子类别： MOSFETs

典型关闭延迟时间： 4.3 ns， 8.8 ns

典型接通延迟时间： 4.3 ns， 5.6 ns

零件号别名： SP001075902 BSG0811NDATMA1

单位重量： 230 mg

在测试应用中，EtherCAT系统可节省高达10%的总体拥有成本（TCO），并提高30％的生产率。

B3292P/Q系列取得UL和EN认证，引线间距有15 mm、22.5 mm和 27.5 mm 共三种，根据容值的大小，可选择不同的引线间距。

此外，电容的外壳和填充树脂满足UL94 V-0的阻燃等级要求。

2颗3K级图像传感器外，后续思特威还将有更多系列产品面世，包括近红外增强及星光级系列的产品，以更好地满足不同客户应用的多元化及差异化需求。

来源：51电子网

审核编辑 ：李倩