锗二极管的死区电压是多少_常用锗二极管型号

　　锗二极管的死区电压是多少

　　锗二极管的正向导通死区电压约为0.2V不到，一般导通后的压降按0.2V计算; 硅材料二极管的正向导通死区电压约为0.6V，通后的压降按0.7V计算。

　　锗二极管的导通电压是多少

　　错二极管的正向导通电压为多少根据制作半导体二极管的材料不同二极管可以分为硅二极管和锗二极管，这两种二极管在导通时的压降各有不同，硅二极管导通时他的PN结压降大约在0.7伏左右，锗二极管导通时他的pN结压降大约在0.3伏左右。

　　常用锗二极管型号

　　锗二极管（DO-7玻璃封装） 1N60P（2-1K60）VR：40V，Cj：1pF； 1N60（1K60）VR：40V，Cj：1pF； 1N34A（1K34A）VR：40V，Cj：1pF。 主要用于：计算器，收音机，电视机等检波电路。 锗二极管压降一般都在0.2v~0.4v。 日本三极管，锗管（PNP）：2SA，2SB，硅管（NPN）：2SC，2SD，日立是公司名，只是标上公司商标，管名以日本国的器件标准命名的。 国产的有2CP，2CZ，2CW后面带数字的多。