nmos晶体管的电流方程 nmos晶体管饱和伏安特性方程

nmos晶体管电流流向

nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生电流的，一般NMOS的源极接衬底，共同接到地，漏极到源极加上正电压，电子从源极向漏极流动，我们取电流的方向和电子流动的方向相反，所以电流是漏极流到源极。

如果NMOS的源极不接衬底，不接到地，那么只要是G-S正偏就可以，Vgs大于门槛电压，MOS就可以导通。

电流可由D–〉S（nmos），也可S–〉D（pmos）。主要是看源极和漏极之间的电位，漏极电位高于源极，电流D到S。源极电位高于漏极，电流S到D。

nmos晶体管的电流方程

NMOS晶体管的电流是指NMOS晶体管的输出电流，它是由晶体管的输入电压和输出电压决定的。当输入电压和输出电压相同时，nmos晶体管的输出电流为零。当输入电压大于输出电压时，NMOS晶体管的输出电流会增加，而当输入电压小于输出电压时，NMOS晶体管的输出电流会减少。

mos晶体管的电流方程为：I = K（VGS - VT）^2， 其中K为晶体管的电流系数，VGS为晶体管的栅极电压，VT为晶体管的阈值电压。

nmos晶体管饱和伏安特性方程

NMOS晶体管的饱和伏安特性指的是，当晶体管的源极和漏极电压达到一定的阈值时，晶体管的电流就不再增加，这个阈值就是晶体管的饱和伏安特性。

nmos晶体管饱和伏安特性方程为：Vds=Vtln（Id/Is）+Vdsat，其中Vt为晶体管的阈值电压，Id为晶体管的漏电流，Is为晶体管的漏电流系数，Vdsat为晶体管的饱和伏安特性。

文章整合自：chat.forchange、博客sunvally