PMOS晶体管工作原理 pmos晶体管的各个工作区域

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PMOS晶体管,也称为P沟道金属氧化物半导体,是一种晶体管形式,其中沟道或栅极区域使用p型掺杂剂。这个晶体管与NMOS晶体管完全相反。这些晶体管包含三个主要端子:源极、栅极和漏极。晶体管的源极端子由p型基板构成,而漏极端子由n型基板构成。该晶体管中的电流由电荷载流子(例如空穴)传导。下面显示了PMOS晶体管的符号。

晶体管

PMOS晶体管工作原理

p型晶体管的工作方式与n型晶体管非常不同。当该晶体管接收到非零电压时,它将产生开路,从而阻止电流从栅极(G)端子流向源极(S)。与此类似,当该晶体管接收到约0伏的电压时,它形成一个闭合电路,这意味着电流从栅极(G)端子流向漏极(D)。

反转气泡是这个气泡的另一个名称。因此,这个圆圈的主要目的是反转输入电压的值。该逆变器将栅极端子处的电压1转换为零,并根据需要操作电路。因此,PMOS和NMOS晶体管用于完全不同的目的。如果我们将它们组合成一个MOS电路,它将转换为CMOS(互补金属氧化物半导体)电路。

晶体管

pmos晶体管的各个工作区域

PMOS晶体管的工作区域包括源极区域、漏极区域、极门区域和极源区域。源极区域是晶体管的输入端,漏极区域是晶体管的输出端,极门区域是晶体管的控制端,极源区域是晶体管的电源端。

如何对NMOS和PMOS的工作区域进行判断呢?

方法一:分别进行讨论,注意PMOS中的值都是负数∶

晶体管

方法二:利用绝对值判断

晶体管

文章整合自:chat.forchange、烜芯微、apogeeweb

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