模拟技术
单结晶体管有几个pn结
单结晶体管只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件,它的基片为条状的高阻N型硅片,两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2,在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。单结晶体管广泛应用在振荡、延时和触发等电路中,最常见的电路就是驰张振荡器电路。
单结晶体管的文字符号是VT。单结晶体管在电路中的文字符号是VT。单结晶体管是由PN结、电阻组成的半导体器件,早期称为双基极二极管。
单结晶体管怎么测量好坏
(1)测量PN结正向电阻
将万用表置R×100或R×1k档,测量发射极。与任一基极间的正向电阻,正常时为几千欧至十几千欧,比普通二极管
电阻略大,反向电阻应趋于无穷大。一般以正、反向阻值比大于100倍为好。
(2)测量基极电阻RBB
万用表仍置于R×100或R×1k档测量基极b1、b2间的阻值应在2~10kΩ范围内.若阻值过大或过小,均不宜使用.
(3)测负阻特性
测负阻特性时,应在基极b1~b2间外接10V直流电源,如图一所示.正常时,万用表表针应在无穷大处,表明管子处于截止状态,还远末达到负阻区,发射极电流很小。若万用表表针向右方偏转,则表明管子无负阻特性,不能使用。
图一 负阻特性检测电路
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