氮化镓外延片的工艺及分类介绍

　　什么是氮化镓外延片

　　通常是指的在蓝宝石衬底上用外延的方法（MOCVD）生长的GaN。外延片上面一般都已经做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。也就是一个LED芯片的组要结构。氮化镓外延片指采用外延方法，使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的产品。

　　氮化镓外延片工艺

　　氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。

　　氮化镓外延片分类

　　氮化镓作为第三代半导体材料，具有耐高温、兼容性高、热导率高、宽带隙等优势，在我国应用较为成熟。按照衬底材料不同，氮化镓外延片又可分为氮化镓基氮化镓、碳化硅基氮化镓、蓝宝石基氮化镓以及硅基氮化镓四类。硅基氮化镓外延片生产成本低且生产技术较为成熟，为目前应用最广泛的产品。

文章来源于雪雪的爱999、华经市场研究中心、