氮化镓和碳化硅的对比

氮化镓（GaN：Gallium Nitride）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。

氮化镓和碳化硅的对比

氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）都是宽禁带（WBG）材料，比硅（Si）有更好的物理性能。三种材料的禁带宽度分别为：Si 1.1eV；SiC 3.2eV；GaN 3.4eV，所以氮化镓和碳化硅处理更高的电压比硅好得多。氮化镓和碳化硅的击穿电压（以MV/cm计）都比硅高10倍。

主要问题

因为GaN是宽禁带半导体，极性太大，则较难以通过高掺杂来获得较好的金属-半导体的欧姆接触，这是GaN器件制造中的一个难题，故GaN器件性能的好坏往往与欧姆接触的制作结果有关。

现在比较好的一种解决办法就是采用异质结，首先让禁带宽度逐渐过渡到较小一些，然后再采用高掺杂来实现欧姆接触，但这种工艺较复杂。总之，欧姆接触是GaN器件制造中需要很好解决的一个主要问题。