LDO简介

描述

LDO(Low Dropout Regulator)是嵌入式系统中广泛使用的器件,也是最基本的模拟类电源,由于其输出噪声小,电路简单,所以在各种应用中都是不可或缺的器件,其中有一些重要的参数对电路的性能影响很大,PSRR就是其中的一个。

一、LDO的几个参数 :

PSRR:电源纹波抑制比

即Vin输入端纹波被衰减的程度,值越大衰减越大,抑制效果越好。

静态功耗:即芯片自身消耗的电流。

输出噪声:即叠加在输出电压上的噪声电压,越小越好

瞬态响应: 即负载电流变化时的响应速度,越快越好

压差(Dropout电压):满足输出电流所需要的最小压差(Vin-Vout),即MOS管的压降。

【注:音频系统需要低噪声的LDO,CameraSensor需要低噪声高PSRR和瞬态响应快的LDO。】

二、LDO的设计注意事项:

Vin/Vout脚的电容要最靠近对应管脚;

BP脚可以接对地电容,也可以不接,接对地电容下可以提高2~3dB的PSRR;

大压差下要做好散热处理,即GND面积做大。

三、LDO的温升计算:

耗散功率=发热功率=(输入电压—输出电压)*负载电流;

温升=耗散功率*热阻系数;

温升就是发热导致的芯片温度升高,并未包括环境温度,实际芯片的温度=环境温度+温升;故而实际芯片温度与PCB散热设计、环境温度和温升都有关;

环境温度+温升不能大于芯片PN结保护温度,否则输出会关闭。

热阻系数与封装类型相关,封装类型决定了热阻系数和封装功率;

封装功率即该封装能承受的极限功率。

四、LDO的效率:

线性电源的效率,严格计算:

η =(输出电压*输出电流)/(输入电压*输入电流) 【 其中:输入电流=输出电流+LDO自身耗电,因为LDO自身耗电很小, 几uA~几十uA,故可忽略。】

简单计算为:

η = 输出电压/输入电压

MOS管

审核编辑:汤梓红

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