Diodes推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120 系列，共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。

这些宽带隙 SBD 的优点包括可大幅提高效率和高温可靠性，同时响应市场对降低系统执行成本并减少维护需求。这些装置适用于 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 降压变换器、光伏逆变器、不断电系统和工业马达驱动产品应用。此外，本系列装置也适用于其他各种电路，例如功率因子校正用途的升压转换器。

这些 SiC 装置拥有高效率效能，表现优于传统硅晶型产品，能为电源供应器设计人员带来空前产品效能优势，例如：

低电容电荷 (QC) 可将切换损耗降至极低，进而提升高速切换产品应用的效率。适合用于功率密度具有较高、解决方案总尺寸较小的电路设计。

低顺向电压 (VF) 可进一步提高效率、降低功率损耗和营运成本。

减少散热，有助于降低整个系统的散热预算。

高突波电流能力可提升稳固性，实现较佳系统可靠性，而出色的热效能还可降低建构成本。

本系列装置提供三种封装选项，包括表面黏着 TO252-2 (WX 型)、通孔 TO220AC (WX 型) 和 ITO220AC (WX-NC 型)。

编辑：黄飞