IGBT的使用与保护

　　绝缘栅双极晶体管（IGBT 或IGT — Insulated Gate Bipolar Transistor），是80 年代中期发展起来的一种新型复合器件。IGBT 综合了MOSFET 和GTR 的优点，因而具有良好的特性。

　　目前IGBT 的电流/电压等级已达1800A/1200V，关断时间已经缩短到40ns，工作频率可达40kHz，擎住现象得到改善，安全工作区（SOA）扩大。这些优越的性能使得IGBT 称为大功率开关电源、逆变器等电力电子装置的理想功率器件。

　　IGBT 的驱动方式与可控硅有着明显的不同，导致控制电路有着很大的差异。可控硅采用强上升沿的窄脉冲信号驱动，而IGBT 采用方波驱动。

　　IGBT是一种可控硅，它具有良好的绝缘性能、耐压性能和耐温性能，可以有效防止电路中的短路、过载和过热。IGBT的使用主要是用于控制电路的开关和电流，可以实现更高的电压和电流控制，从而提高电路的稳定性和可靠性。IGBT的保护主要是防止过载、过压和过热，可以使用电路保护器、熔断器和温度传感器等设备来实现。

　　IGBT 的保护措施

　　由于IGBT 具有极高的输入阻抗，容易造成静电击穿，将IGBT 用于电力变换时，为了防止异常现象造成器件损坏，通常采用下列保护措施：

　　1）通过检出的过电流信号切断栅极信号，实现过电流保护；

　　2）利用缓冲电路抑制过电压，并限制过高的dv/dt;

　　3）利用温度传感器检测IGBT 的外壳温度，当超过允许温度时主电路跳闸，实现过热保护。由于IGBT 具有正温度系数和良好的并联工作特性，IGBT 多采用多只元件并联工作，主电路除对称性外，无其他特殊要求。

　　从目前的使用情况看，采用IGBT 作为开关元件的静止变频电源的故障率明显较低，元器件损坏的较少，维修费用也较低，是静止变频技术新的发展方向。