氮化镓技术是谁突破的技术

　　氮化镓技术是谁突破的技术

　　作为支撑“新基建”建设的关键核心器件，氮化镓应用范围非常广泛，氮化镓在数据中心，新能源汽车等领域都有运用。那么这么牛的氮化镓技术是谁突破的技术？

　　氮化镓技术是谁突破的技术

　　氮化镓技术是由美国物理学家威廉·贝克（William Beck）于1962年突破的技术。（该答案未能证实）

　　1993年，Nichia公司首先研制成发光亮度超过lcd的高亮度GaInN/AlGaN异质结蓝光LED，使用掺Zn的GaInN作为有源层，外量子效率达到2.7%，峰值波长450nm，并实现产品的商品化。

　　但是在1969年日本科学家Maruska等人采用氢化物气相沉积技术在蓝宝石衬底表面沉积出了较大面积的氮化镓薄膜，但由于材料质量较差和P型掺杂难度大，曾经被行业内认为没有什么应用前景。

　　1993年日亚化学的Nakamura等人用MOCVD方法实现了高质量管理InGaN铟镓氮外延层的制备。

　　2014年3月，美国雷声公司氮化镓晶体管技术获得突破，首先完成了历史性X-波段GaN T/R模块的验证；

　　在2014年，日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。

　　2015年1月，富士通和美国Transphorm在会津若松量产氮化镓功率器件；

　　2015年3月，松下和英飞凌达成共同开发氮化镓功率器件的协议；同月，东芝照明技术公司开发出在电源中应用氮化镓功率元件的卤素LED灯泡；

　　就在不久前，N极性氮化镓又有新的技术突破，日本住友电工开发了基于GaN单晶N极性HEMT器件，该器件是他们通过在氮化镓晶体中添加N极性所制成的，可满足晶体管高输出、高频率的需求。按照住友电工的说法这是世界上第一个可用于“后5G”的单晶衬底GaN HEMT。

　　在半导体材料领域，第一代半导体为“硅”（Si），第二代半导体为“砷化镓”（GaAs），第三代半导体（又称“宽能隙半导体”，WBG）是“碳化硅”（SiC）和“氮化镓”（GaN）。第一代和第二代半导体的硅和砷化镓是低能隙材料，其值分别为1.12eV和1.43 eV。第三代（宽能隙）半导体 SiC 和 GaN 的能隙分别达到3.2 eV和3.4 eV。因此，在遇到高温、高电压和大电流时，与第一代和第二代相比，第三代半导体不会轻易从绝缘变为导电，特性更稳定，能量转换更好。

　　氮化镓技术是一种用于制造半导体器件的技术，它可以提高半导体器件的性能和可靠性。氮化镓技术可以用于制造晶体管、存储器、放大器和其他电子元件。它还可以用于制造太阳能电池、光电池和其他光电器件。

　　氮化镓技术的优势在于它可以提高半导体器件的性能和可靠性，并且可以提高半导体器件的功耗。此外，氮化镓技术还可以提高半导体器件的热稳定性，从而提高半导体器件的可靠性。

　　氮化镓技术的应用未来可期，GaN的应用将继续扩展至消费者电子等领域，比如更薄的平板显示器，而且可以减少可充电设备的能源浪费，提升能效。