用于七种新型碳化硅场效应管晶体管

七是一个吉祥的数字，从一周中的日子到古代世界的奇迹，大陆，新娘，兄弟和白雪公主的小朋友。许多人选择它作为他们的“幸运”数字，它肯定是一个方便的引线数量，适合D2PAK半导体封装。标准 D2PAK-3L 版本的额外四根引线在您希望通过更大的灵活性和设计选择最大限度地提高 SiC FET 的实际性能时会有所不同。一根引线用于与源极的开尔文连接，以避免负载电流和栅极驱动之间的相互作用，一根用于栅极，另外五根引线与源极并联，从而最大限度地减少电阻和引线电感。

当然，D2PAK-7L 的“主要”属性是它外形扁平且表面贴装，适用于功率密集 AC/DC、DC/DC 和逆变器产品的现代自动化装配技术。较旧的最终产品设计通常需要在TO-247等封装中使用引线器件，因为它们能够将热量传导到大量的外部散热器，同时为在高电压下使用提供适当的引线分离。然而，这样做的缺点是需要手动操作螺母和螺钉固定以及通孔焊接。现在，凭借银烧结芯片粘接和先进的晶圆减薄技术，UnitedSiC 的新型 D2PAK-7L 封装在安装在具有液体冷却的 PCB 或绝缘金属基板上时具有出色的热性能。事实上，由于这些封装中使用的第 4 代 750V 额定 SiC FET 的损耗极低，因此在电池充电器和电机驱动器等应用中，仅 PCB 焊盘通常可以提供足够的散热，最高可达显著的功率水平。UnitedSiC 提供从 60 毫欧到 9 毫欧的七种导通电阻选项的器件，以适应广泛的应用和预算。没有竞争器件可以与之匹敌，最接近的器件仅达到11毫欧，图1。

图 1：UnitedSiC D2PAK-7L SiC FET RDS（on） 与竞争产品

与 TO-2 类型相比，D7PAK-247L 封装具有性能优势，源极和漏极连接之间的外部间距具有固有的更好，可实现更轻松的 PCB 布局，并符合安全机构的爬电距离和电气间隙要求。更小的封装尺寸也减少了键合线长度 - 这是芯片R的一个重要优势DS（ON）并且芯片尺寸继续缩小。由于较短的焊线和较短的鸥翼引线长度环路，电感降低，因此碳化硅开关技术可能实现的快速di/dt速率产生较低的电压尖峰。

UnitedSiC 2V SiC FET 系列引入了 D7PAK-750L 封装，其外形尺寸更小、成本效益更高、损耗更低，开辟了新的成本/性能敏感型应用。其低电感、开尔文栅极连接和 750V 额定电压提供的额外电压裕量也增强了耐用性。

联合碳化硅在线场效应管射流计算器在其库中包括 D2PAK-7L 器件，因此可以为您的应用选择最佳版本，并即时读取所选转换拓扑和冷却布置的效率、元件损耗和结温升。

因此，无论七是否是您的幸运数字，它仍然意味着SiC FET封装向前迈出了一大步。尝试一下您的下一个电源产品设计。

审核编辑：郭婷