找到你的高压电源设计最佳平衡点

当 750V 第 4 代 SiC FET 与第 3 代 650V 的比较令人吃惊——例如，6 毫欧器件显示两个 R 的强度几乎减半DS•品质因数和体二极管反向恢复能量引起的动态损耗。关断能量Etot大幅降低，短路耐受时间和体二极管浪涌电流也提高了2倍以上。

这些改进使SiC FET进一步领先于竞争技术;IGBT、硅和碳化硅MOSFET，甚至氮化镓，用于效率和成本至关重要的系统，例如电动汽车/太阳能逆变器、电池充电器和PFC级以及DC/DC和AC/DC转换。与应用中的其他器件相比，750V 额定值是一个有用的附加优势，与通常额定电压仅为 650V 的其他技术器件相比，具有更高的安全裕度。这甚至允许更多的效率节省，并减少将电压过冲保持在最大额定值内所需的损耗缓冲。

1200V 及更高额定值的器件采用第 3 代技术，现在 UnitedSiC（现为 Qorvo）正在提供 1200V 第 4 代器件，提供一系列导通电阻额定值，以适应通常使用 800V 总线的广泛应用。为了提高设计灵活性，RDS（开启）提供 23/30/53 和 70 毫欧的值，全部采用 TO-247-4L 封装，带有额外的开尔文源连接，可实现最快的开关应用。53 和 70 毫欧器件也采用 TO-247-3L 封装，适用于不太关键、对成本更敏感的设计。与 750V 器件一样，每个器件在传导和动态相关损耗方面都具有业界最佳的品质因数 RDS•A， RDS（开启）•Coss，tr 和 RDS（开启）•Qg。1200V器件还利用了第4代开发的技术——先进的电池最大化、晶圆减薄技术和银烧结芯片连接。这导致出色的热能力，符合更高总线电压系统中更高的功率水平和所使用的先进冷却技术的要求。新型UF4C/SC器件针对硬开关应用进行了优化，例如连续导通模式行的图腾柱PFC平台。它们也非常适合软开关设计，其中SiC FET的低输出电容和低传导损耗是明显的优势。

新型1200V部件的一个明显应用是配备800V电池的EV，这需要车载充电器和辅助DC/DC转换器。当然，新的 1200V Gen 4 器件具有 SiC FET 的既定优势 – 正常关断工作、易于栅极驱动、低损耗体二极管和碳化硅固有的坚固性。

因此，使用新的 1200V 第 4 代 SiC FET 找到您的电源设计最佳位置。

审核编辑：郭婷