三极管和MOS管的基本特性及其区别

三极管的定义

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

MOS管的定义

MOS管是一种具有放大功能的特殊器件，其工作原理是当MOS管导通的时候，电流会通过一个特殊的电阻rb(压敏电阻)流进到输入级；反之，如果MOS管截止时，电流就会从输出端直接流出。

三极管和MOS管的基本特性

三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种，符号如下：

MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS)，符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管)：

三极管和MOS管的区别

1、MOS管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，左图图示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，右图图示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。

2、MOS管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大(这一点金誉半导体有专门讲过)，而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b 值将减小很多,因此MOS管协调能力比晶体管好。

3、MOS管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以MOS管比三极管的温度稳定性好。

综合整理自CSDN技术社区、萨科微半导体功率器件、百度百科、金誉半导体