可控硅模块的工作原理

功率器件

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描述

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。*早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

可控硅模块又叫晶闸管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族,它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管鉴别可控硅三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的。

晶闸管在运行过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,构成可控硅模块的主线路,可控硅模块的门极G和阴极K与控制可控硅模块的设备连接,构成可控硅模块的控制电路。

p-n结

可控硅模块为半控型电力电子元器件,它的运行情况以下:

1.可控硅模块承担反方向阳极电压时,不论门极承担何种电压,可控硅模块都处在反方向阻断模式。

2.可控硅模块承担正方向阳极电压时,仅在门极承担正方向电压的情况下可控硅模块才导通。这时可控硅模块处在正向导通模式,这就是可控硅模块的闸流特性,即可控特性。

3.可控硅模块在导通情况下,只需有一定的正方向阳极电压,不论门极电压如何,可控硅模块维持导通,即可控硅模块导通后,门极丧失作用。门极只起触发作用。

4.可控硅模块在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到将近于零时,可控硅模块断开。

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