碳化硅在高温下能与氧发生反应吗？

　　碳化硅的应用主要在于它的半导体性能与力学性能两个方面。高温下与氧反应。

　　一般的工业制备碳化硅工艺为“电极高温合成法”，或者说，电极高温炭还原熔炼法。使用纯净的SiO2与石油焦在电极电炉中，高于摄氏2000度以上熔炼而成。

　　SiC在温度高于2600度后就开始热分解。在氧化气氛中，或者具有催化条件下，温度高于1300度后就可以与氧产生碳氧反应。所以，碳化硅粉体可以用作炼钢的脱氧剂。

　　碳化硅的晶体结构有多种。最为常见的，也是最有应用价值的是金刚石晶体结构或者类金刚石晶体结构。或称其为立方结构。其它的六方结构与菱方结构则少见。

　　SiC具有优良的半导体特性。而且，属于宽禁带（大于3ev）高温半导体。能满足太空半导体材料的性能需要。当然，太空半导体材料同样可以在地球表面使用。

　　SiC还具有优良的力学性能。它的硬度仅次于金刚石。所以，研磨材料、摩擦材料的制造很多都选择了SiC作为重要的组分之一。

　　当然，SiC的红外性能、电磁波吸收与透过性能也是具有独步之处。

　　参看SiC的常见晶体结构：

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