图腾柱PFC和LLC电源如何应对高密度设计的挑战？

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提高大功率单相输入电源的效率和功率密度是当今设计人员面临的一个挑战，特别是考虑到中等负荷条件下（20%至50%）的效率。这种功率水平的电源需要功率因素校正（PFC）。使用无桥PFC来取代输入整流桥可以提高效率。

 

通过在图腾柱PFC架构中使用SiC MOSFET ，有可能实现更高的功率密度和效率，因为在这个功率水平上，开关频率比其他方案高得多。了解安森美（onsemi）的图腾柱PFC和LLC电源方案如何应对高密度设计挑战，报名参加第十三届亚洲电源技术发展论坛，听安森美专家倾情讲述！

 

             

 

 

专家介绍  

Jason Yu是安森美应用方案工程中心的应用工程师，主要负责AC/DC电源、大功率开关电源及数字电源在5G电信和数据通信的应用。Jason Yu毕业于华南理工大，2020年加入安森美，拥有超过20年的电源涉及以及电力电子行业经验。

 

会前充电  

在我们推送过的《设计指南 | 高功率密度的电源要怎么设计？》（点击回顾）一文中，讨论过一个300W、20V单相交流输入电源的设计，该电源具有超过36W/in3的高功率密度，且满载效率为94.55%。经由NCP1680 图腾柱 PFC 控制器控制由GaN集成驱动器驱动的前端PFC，后端由高频LLC级配合输出同步整流，以此来实现高功率密度。

 

产品推荐  

安森美的混合信号控制器NCP1681专用于无桥图腾柱功率因数校正(TP PFC)拓扑结构。该控制器以适用于达350 W设计的NCP1680的成功为基础，将功率能力扩展到千瓦范围。

 

该新的NCP1681高功率TP PFC控制器结合成熟的控制算法和新颖的功能，提供一个高性能和高性价比的TP PFC方案，也可满足具挑战的能效标准，诸如“80Plus ”或“CoC Tier 2”等要求在广泛的负载范围内提供高能效的标准。

 

除了TP PFC控制器外，安森美还提供各种SiC MOSFET和隔离门极驱动器，可用于图腾柱的快速支路。SiC MOSFET器件具有低导通电阻(RDS(on))和紧凑的芯片尺寸，确保低电容和门极电荷(Qg)，在缩小的系统尺寸中提供极高能效，从而实现高功率密度。当NCP1681与NCP51561电隔离门极驱动器一起使用时，可实现稳定可靠的设计而不会牺牲开关性能。

 

 

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原文标题：图腾柱PFC和LLC电源如何应对高密度设计的挑战？

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