碳化硅MOSFET有几种电压介绍

碳化硅二极管 碳化硅肖特基二极管 碳化硅肖特基势垒二极管 SiC SBD 碳化硅功率器件 碳化硅半导体

碳化硅二极管 碳化硅肖特基二极管 SiC SBD和碳化硅MOSFET 碳化硅MOS SiC MOSFET有几种电压介绍

碳化硅二极管和碳化硅MOSFET都属于碳化硅功率器件，又称为碳化硅电力电子器件，属于主动元器件，也属于半导体元器件。我们现在不得不重新认识什么是碳化硅，首先碳化硅不是天然的元素和物质，区别于自然矿物质硅物质，硅基功率器件属于第二代半导体，现在我们说的碳化硅是碳和硅的化学化合物，属于合成的物质，他们经过研磨、衬底、外延、晶圆制造、裸芯粒、封装测试才能制造成碳化硅功率器件。

碳化硅二极管 碳化硅肖特基二极管 碳化硅肖特基势垒二极管 SiC SBD 碳化硅功率器件 碳化硅半导体

碳化硅功率器件主要可以分为3类，第一个裸芯片，无封装芯片，该类产品用于终端半导体厂商做模块封装或其他特定封装。第二个碳化硅二极管和碳化硅MOSFET，他们的封装有贴片型和插件型，主要封装型号有：碳化硅二极管为贴片封装：DFN5×6、DFN8×8、TO-252-2L、TO-263-2L插件封装：TO-220-2、TO-247-2、TO-247-3；碳化硅MOSFET为贴片封装： TO-263-7L 插件封装：TO-247-3、TO-247-4；第三个碳化硅模块，如肖特基二极管模块，主要用于一些特大功率的工业仪器电源，或超级充电桩。
 

下面我们拿慧制敏造出品的KNSCHA品牌碳化硅功率器件说明。碳化硅 (SiC）二极管采用全新技术，提供比硅材质更胜一筹的开关性能和可靠性。目前主流的能量产而且性能稳定的碳化硅二极管电压为650V、900V、1200V、1700V，当然还有超高压3300V，目前正在研发中，主要应用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控，电源、工控、空调等、电动工具、储能等。碳化硅 (SiC) MOSFET高速且坚固，并具备效率高、尺寸小、成本低的系统优势，目前主流的量产型号电压为650V和1200V，主要应用于新能源、汽车、逆变、光伏、工控、工业电源、充电桩、储能。

审核编辑 黄宇