SiC碳化硅二极管和SiC碳化硅MOSFET产业链介绍

碳化硅二极管KN3D0210F

SiC碳化硅二极管和SiC碳化硅MOSFET产业链介绍

碳化硅二极管和碳化硅MOSFET都属于碳化硅功率器件，属于碳化硅电力电子器件，也就是我们现在说的第三代半导体，当然第三代半导体还包括氮化镓功率器件。现在我们这里只谈碳化硅功率器件中的碳化硅二极管和碳化硅MOSFET产业链说明。

碳化硅二极管和碳化硅MOSFET 碳化硅半导体 碳化硅功率器件

为什么现在碳化硅二极管和碳化硅MOSFET越来越得到重视和应用。不得不先讲一下第三代半导体碳化硅原材料具备比第二代硅基半导体更多特性优势。第一代半导体以单元素硅Si、锗Ge为主，具备储量高、易于提纯、绝缘性能好等特点，在集成电路领域占据主导地位；第二代半导体以砷化镓GaAs、磷化铟InP等化合物半导体为主，可用于制造高频、高功率及光电子器件，广泛应用于通讯领域；第三代半导体以碳化硅SiC、氮化镓GaN等宽禁带化合物半导体主，具备耐高温、耐高压、抗辐射等特点，适合应用于电力电子、微波射频与光电等领域。第三代半导体碳化硅功率器件具备热导率(W/cm-K)耐高温；临界击穿场强(MV/cm)耐高压；介电常数(C^2/(N*M^2))高功率密度；禁带宽度(eV)更高效；电子饱和漂移速率(10^7 cm/s)高频。

了解了以上，现在我们就能非常清晰介绍一下SiC碳化硅二极管和SiC碳化硅MOSFET是怎么制造出来的，也就能诠释SiC碳化硅二极管和SiC碳化硅MOSFET产业链介绍。

我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成为粉末，碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭；碳化硅晶锭进过晶圆切磨抛就变成碳化硅二极管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅衬底；再经过外延生长就变成碳化硅外延片，也就是雏形的芯片。碳化硅外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、CVD、PVD背面减薄、退火变成碳化硅晶圆（前端工艺）。碳化硅晶圆再经过划片封装测试（后段工艺）就变成了我们现在使用的半导体-碳化硅二极管和碳化硅MOS。

以上就是SiC碳化硅二极管和SiC碳化硅MOSFET产业链介绍

审核编辑 黄宇