SiC碳化硅功率器件产品线和硅基产品线介绍

碳化硅二极管 碳化硅MOSFET 碳化硅半导体

SiC碳化硅功率器件产品线和硅基产品线介绍

硅基功率器件为第二代半导体，碳化硅功率器件为第三代半导体，碳化硅功率器件又称为碳化硅电力电子器件，特性优势明显，目前为最先进的功率器件。下面我们就来介绍一下SiC碳化硅功率器件产品线和硅基产品线。

碳化硅功率器件涵盖碳化硅裸芯片，碳化硅二极管和碳化硅MOSFET，还要碳化硅模块。我们重点介绍一下碳化硅二极管和碳化硅MOSFET。碳化硅二极管除了确保符合当今最严格的能效法规（Energy Star、80Plus、以及European Efficiency）外，碳化硅二极管的动态特性是标准硅二极管的四倍，而正向电压（VF）比其低15%。 碳化硅（SiC）二极管的使用大大提高了太阳能逆变器、电机驱动、不间断电源和电动车电路的效率和稳定性。拿慧制敏造半导体的碳化硅二极管来分析，碳化硅二极管在600V到1200V的电压范围内采用单二极管和双二极管（封装尺寸从DPAK到TO-247），包括陶瓷绝缘型TO-220，以及超薄的紧凑型PowerFLATTM 8x8，具有优异的热性能，是高电压（HV）表面贴装（SMD）封装的新标准，可用于650 V碳化硅二极管（4 A - 10 A）。拿慧制敏造半导体的碳化硅MOSFET来分析，碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。在新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。新一代采用辅助源极连接方式的碳化硅 MOSFET（TO-247-4）可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现。

碳化硅二极管 

硅基产品线主要有低压MOSFET、高压MOSFE、FRD快恢复二极管、IGBT/混合式IGBT

审核编辑 黄宇