浅谈三极管的放大作用

先给出三极管内部结构图：

图1

三极管结构特点：(1) 基区很薄，且掺杂浓度低；(2) 发射区掺杂浓度比基区和集电区高得多；(3) 集电结的面积比发射结大。

因此，三极管可以想象为两个粉笔盒子中间夹着一张白纸。

图1是三极管内部电流的简单图解。一般情况下，对于NPN，我们只要记住

1：基极电流由加载在基极的正电压驱动基区的空穴产生，一般情况下很小。

2：集电极电流由加载在集电极的正电压吸引发射区的电子产生。

3：发射极电流为基极电流和集电极电流之和。

由图1还可以看出，由发射区流向集电极的电子，虽然经过了基区，但并不构成基极电流，这是因为这些电子并没有经过三极管外部基极的那根导线，所以不构成基极电流。

我们都知道，晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。

由图1可以看出，所谓的放大作用，不过是由于加载在集电极的正电压吸引的电子数大大超过了由基区流向发射区的空穴数目。这种放大作用，实际上是依靠消耗了图1中两个直流电源的能量实现的，而且只是从效果上来看得到的一种结果。也就是说，三极管本身是不具备什么放大作用的。

至于三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量，从图2可以看出来，这种作用也是有前提的，那就是首先要由直流电源提供合适的静态工作点。

图2

那么，三极管为什么能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量呢？

似乎可以这样理解：

基极电流Ib是受发射结电压Ube控制的，当Ube增大时，Ib会增大一点点，也就是由基区流向发射区的空穴会增加一点点，但同时会导致从发射区流向基区的电子增多，从而使得在VCC不变的前提下，导致集电极电流Ic增大，增大的幅度比基极电流要大很多，这是由于发射区高参杂浓度的内部结构特点决定的。

因此，三极管的放大作用：

1: 放大的能量来源于直流电源。

2：基极电流对于集电极的控制作用是由三极管内部结构特点决定的。