IGBT功率模块的优势

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT（双极型三极管）和 MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为 600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT最常见的形式其实是模块（Module），而不是单管。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。

IGBT功率模块的优势主要有：

1.低功耗：IGBT功率模块的功耗比普通MOSFET功率模块低，可以降低系统的功耗；

2.高效率：IGBT功率模块的效率比普通MOSFET功率模块高，可以提高系统的效率；

3.高可靠性：IGBT功率模块的可靠性比普通MOSFET功率模块高，可以提高系统的可靠性；

4.低成本：IGBT功率模块的成本比普通MOSFET功率模块低，可以降低系统的成本。

IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管（IGBT）组成的功率模块。因为IGBT模块为MOSFET构造，IGBT的栅极经过一层氧化膜与发射极实现电隔离，具备出色的元器件性能。普遍使用于伺服电机、变频器、变频家电等领域。

工艺特点

IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制线路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优势。实际上是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优势于一体化。又因先进的生产工艺使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20khz），这两点十分显著的特性，近期西门子公司又发布低饱和压降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相继东芝、富士、ir，摩托罗拉亦已在开发研制新品种。