IGBT内部结构

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，它是由BJT（双极型晶体管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电子电力器件，即具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点，又具有双极型功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。

IGBT内部结构

为了更好了解IGBT，下面我们再来看看它的内部结构：一般，IGBT 有三个端子：集电极、发射极和栅极，他们都是附有金属层。但是，栅极端子上的金属材料具有二氧化硅层。IGBT结构其实就相当于是一个四层半导体的器件。四层器件是通过组合 PNP 和 NPN 晶体管来实现的，它们构成了 P-N-P-N 排列。

IGBT 有三个端子（集电极、发射极和栅极）都附有金属层。然而，栅极端子上的金属材料具有二氧化硅层。

IGBT结构是一个四层半导体器件。四层器件是通过组合 PNP 和 NPN 晶体管来实现的，它们构成了 PNPN 排列。

IGBT的内部结构图

如上图所示，最靠近集电极区的层是 （p+） 衬底，即注入区；在它上面是 N 漂移区域，包括 N 层。注入区将大部分载流子（空穴电流）从 （p+） 注入 N- 层。

漂移区的厚度决定了 IGBT 的电压阻断能力。

漂移区域的上面是主体区域，它由 （p） 基板组成，靠近发射极，在主体区域内部，有 （n+） 层。

收集器区域（或注入区域）和 N 漂移区域之间的连接点是 J2。类似地，N-区域 和 主体区域之间的结点是结点 J1。

注意： IGBT 的结构在拓扑上类似于“MOS”栅极的晶闸管。但是，晶闸管动作和功能是可抑制的，这意味着在 IGBT 的整个器件工作范围内只允许晶体管动作。

IGBT 比晶闸管更可取，因为晶闸管等待过零的快速切换。