详解IGBT的米勒钳位电路

当出现短路时IGBT的Vce快速上升，过高的dVce/dt会通过米勒电容给IGBT门极充电，若不进行保护会使得门极电压过高而损坏IGBT，门极钳位电路主要是在门极电压过高时起动保护电路动作，提供电流泻放通道抑制门极电压升高。

此电路选择较大的R3和较小的R5及适当的C2使用三极管Q1慢关快开(在IGBT导通前关断，在IGBT关断后导通)，这样下面的电路就与IGBT的驱动完全独立开来了，R4，D4的目的是防止Q1有过高的Veb电压。此钳位电路适用于小功率自举电路。

目前已经驱动芯片内部集成了米勒钳位功能，可极大减少外部器件，简化布局布线。如下图Dcl,e是外部对电源钳位二极管，集成到芯片内部(Dcl)。

设计注意点：

1、 D2要选择肖特基二极管，电流满足驱动要求。

2、 PNP三极管选择速度快，延迟小，高增益，同时有一定的电流通流能力。

3、 要保证从IGBT门极至二极管到电源电容C1至IGBT发射极的回路最小。

4、电容及三极管一定放在IGBT的门极处。