GaN-on-Si LED技术是行业梦寐以求的技术。首先,硅是地壳含量第二的元素,物理和化学性能良好,在大尺寸硅衬底上制作氮化镓LED的综合成本可以降低25%;再则,氮化镓具有高功率密度、低能耗的特性,适合高频率、支持宽带宽等特点,应用领域广泛。
但是曾经由于两大核心关键问题一直没有得到解决,GaN-on-Si技术曾一度被判“死刑”。一是由于硅和氮化镓热膨胀系数差异高达54%,在降至室温过程中,氮化镓薄膜会受到巨大的张应力,从而发生龟裂,无法满足制作器件的要求;再则氮化镓与硅的晶格失配高达17%,在外延膜中会产生高位度密错,使晶体质量变差,无法获得高质量LED。
我们率先攻克了GaN-on-Si这项技术。生长时在衬底上加入应力缓冲层,在降温过程中GaN薄膜处于压应力状态,无裂纹。同时我们对氮化镓生长技术进行了创新,解决了世界性难题,得到了高质量的氮化镓薄膜。技术水平处于国际领先水平。
技术可应用于GaN-on-Si功率器件、GaN-on-Si射频器件、Micro LED、GaN-CMOS集成等多个领域。
审核编辑:刘清
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