VDDQ电源用于使用PWM降压控制器的服务器DDR内存

DDR内存由于其快速的数据传输速率和成本而在服务器和个人计算机中变得非常流行。DDR 内存需要主内存电源（也称为 VDD）和跟踪端接电源 VTT。MAX1917为多功能快速PWM降压控制器，能够灌入和拉出高达25A的电流。本应用笔记说明了MAX1917用作服务器DDR存储器的VDD电源。

MAX1917为PWM控制器，为DDR存储器产生终止电源（VTT）。在此类应用中，输出电压 VTT 跟踪 DDR 内存电源电压 VDD，并将其馈送到 DDR 引脚。

MAX1917还可用于从5V或12V输入电源产生VDDQ电源电压，方法是将其基准电压连接到DDR引脚。图1所示为12A输出电流的原理图。

图1.MAX1917用于VDDQ电源电压应用。

MAX1917可用于输出电压为1.0V及以上的非跟踪应用，如处理器内核电压和DSP内核电压。MAX1917的优点之一是瞬态响应快（在一个开关周期内响应阶跃负载变化）。因此，它适用于高速应用。以下应用电路的另一个特点是，通过改变R200的值，开关频率可以在1kHz至6MHz之间设置。此功能可优化外部组件选择。

表 1 列出了组件信息。

 

Comp.	描述	供应商
C1	1.0μF/25V 陶瓷电容，TMK316BJ105ML，最大 20mΩ ESR。	Taiyo Yuden
C2	4X330μF/25V 铝电容，ZA 系列，最大 26mΩ ESR。	Rubycon
C3	4.7μF/10V 陶瓷电容， JMK212BJ475MG， 20mΩ ESR 最大值	Taiyo Yuden
C4	0.47μF/10V 陶瓷电容器， LMK107BJ474MA	Taiyo Yuden
C5	10μF/6.3V 陶瓷电容， JMK316BJ106ML， 最大 ESR 20mΩ	Taiyo Yuden
C6	每个电容器 3X560μF、4SP560M、14mΩ 最大 ESR。	Sanyo
C7	0.22μF/10V 陶瓷电容器， LMK107BJ224MA	Taiyo Yuden
D1	30V/100mA肖特基二极管，CMPSH-3	Central Semi.
L1	0.75μH/24A， CDEP149-0R7NC， （静电比， 最大 1.2mΩ）	Sumida
第一季度	红外代码编号： IRF7822	IR
第一季度	2XIRF7822	IR
第一季度	2N7002K	Siliconix
R1	400k， 1%
R2	5.1k， 5%
R3	20k， 5%
R4	15k， 0.1%
R5	10k， 0.1%
R6*	1.78k， 1%
*参见公式（2）。

 

设置输出电压

根据图1所示的原理图，反馈基准 电压设置为1.0V。输出电压可在 1.0V 和 向上。输出电压由下式确定：

设置开关频率

MAX1917/8的开关频率可设置为300kHz 或 550kHz，通过保持 FSEL 引脚悬空或将其接地。 但是，开关频率可以设置在 300kHz 至 1MHz，通过增加一个电阻（R6）。给出实际开关频率 由

要使上述公式成立，FSEL引脚应接地。相应的关闭时间由下式给出，

开关频率与输入电压无关。但是，关断时间取决于输入电压。MAX1917的最小关断时间为350ns（典型值），最大关断时间为400ns。因此，在低输入电压（5V输入）下选择开关频率时应非常小心，以确保公式3中要求的关断时间至少是满足瞬态响应要求的最小关断时间的1.4倍。

图2分别显示了5V和12V输入的转换器效率与负载电流的函数关系。很明显，该转换器在负载电流小于12A时表现出非常高的效率。下图（图3a和3b）分别显示了5V和12V输入的输出纹波电压和低压侧MOSFET漏极至源极电压波形。对于 25V 输入，输出纹波电压保持在 5mV 以下，对于 50V 输入，纹波电压保持在 12mV 以下。在1V输入时，应使用大输出电感器（例如5.125μH，胜美达CEP1-5R1-H）来保持纹波电压低于输出电压的12%。

图2.效率与输出负载电流的关系

图 3a.输出纹波电压和低压侧 MOSFET Vds 波形（输入电压为 5V）。

图 3b.输出纹波电压和低侧MOSFET Vds波形（12V输入）。

审核编辑：郭婷