线性稳压电路的设计方案

1. NPN达林顿结构

这是早期的一种实现方式，采用达林顿结构增加通流能力。

维基百科：

达灵顿晶体管(英语：Darlington transistor)，或称达灵顿对(Darlington pair)是电子学中由两个(甚至多个)双极性晶体管(或者其他类似的集成电路或分立器件)组成的复合结构，通过这样的结构，经第一个双极性晶体管放大的电流可以进一步被放大。这样的结构可以提供一个比其中任意一个双极性晶体管高得多的电流增益。在使用集成电流芯片的情况里，达灵顿晶体管可以使得芯片比使用两个分立晶体管器件占用更少的空间，因为两个晶体管可以共用一个集电极。达灵顿晶体管通常被封装在单一的芯片里，从外面看就像一个双极性晶体管。有时，集成电路芯片中会包含8个这样的结构方便使用。

达灵顿结构是由贝尔实验室的工程师悉尼·达灵顿(Sidney Darlington)在1958年发明的。他后来将这种两三个晶体接在一起、共同接在一个集电极的创意申报了专利。另一种看起来与之相似的结构是将两个半导体类型晶体管连接起来(例如NPN-PNP)，这种结构被称作是西克对管(Sziklai pair)。

电路参数

达林顿管的损耗为：188.76106mW

输出电压：7.499732V

2. PNP线性稳压

需要一个PNP管和NPN管配合组成一对，NPN管的基极电流是用来控制流过PNP的负载电流。

电路参数

PNP管的损耗为：189.04504mW

输出电压：7.4999814V

3. NMOS线性稳压

需要给NMOS的栅极提供比NPN、PNP更高的驱动电压，设计更复杂一些，或者也可以使用PMOS管，价格比NMOS管贵。

电路参数

NMOS管的损耗为：188.76421mW

输出电压：7.4997177V