用于DDR-SDRAM终端的电源工作在3V至5.5V输入电压

双倍数据速率（DDR）同步动态随机存取存储器（SDRAM）最近越来越受欢迎。DDR 内存需要跟踪主内存电压 VDDQ 的主动端接 VTT。本应用笔记提供开关稳压器方案，利用MAX1957脉宽调制（PWM）降压控制器为VTT端接提供1/2跟踪输出。

双倍数据速率 （DDR） 同步动态随机存取存储器 （SDRAM） 越来越受欢迎，因为在相同时钟速度下，与 SDRAM 相比，它可以提供双倍的数据速率并降低功耗。这些优势带来了更复杂的端接电压要求。

DDR 端接电源 VTT 现在必须能够提供和吸收电流。VTT 必须跟踪 1/2VDDQ，即输出电源电压（目前 VDDQ 为 2.5V，精度为 ±3%）。输入接收器现在是一个差分级，需要一个基准偏置VTTR，它必须跟踪终端电压VTT到±40mV以内（参考JDEC标准JDSD79和JDSD8-9）。

图1是一个典型的输出缓冲器和输入接收器级，在DDR_SDRAM单端接系统中具有2.5V （SSTL-2）的串联短截线端接逻辑。对于双端接，用于长总线，总线两端各有两个RT端接。

图1.单端接 SSTL-2 DDR_SDRAM系统。

图2中的MAX1957电路提供VTT和VTTR用于DDR_SDRAM。MAX1957具有基准输入（REFIN），连接到内部误差放大器的同相输入，将输出VTT调节至与REFIN相同的电压。为了使VTT和VTTR跟踪1/2VDDQ，REFIN由VDDQ的电阻分压器（R1和R2）开发。电容C6为去耦滤波器。MAX1957工作在恒定频率PWM，使得VTT能够根据DDR-SDRAM的要求提供和吸收电流。图 2 中使用的组件提供超过 3 安培的拉电流和灌电流能力，这是 128Mb 内存系统的最大要求。

图2.MAX1957典型应用电路，用于VTT和VTTR。

表 1.MAX1957典型应用电路的元件列表
 

 

元件	数量	描述
C1	1	电容 10μF/6.3V X5R 陶瓷。 太阳汤殿：JMK212BJ106MG
C2	1	电容 4.7μF/6.3V X5R 陶瓷。 太阳汤殿：JMK212BJ475MG
C3	3	电容 22μF/6.3V
C4，C5	2	电容 0.1μF/50V X7R 陶瓷。 太阳汤殿 UMK107BJ104KA
C6	1	电容 1500pF/50V X7R 陶瓷。 村田制作所GRM89X7R152K50
C7， C8， C9	3	电容 270μF/2V SP 电容器。 松下EEFUE0D271R
C10	1	瓶盖 470pF/50V X7R 陶瓷。 村田制作所： GRM89X7R471K50
C11	1	电容 68pF/50V X7R 陶瓷。 村田制作所： GRM39COG680J50
D1	1	二极管， 肖特基， 30V， 100mA， SOT-23. 中央：CMPSH-3
集成电路	1	IC，同步降压控制器：MAX1957
L1	1	电感器， 2.7μH， 6.6A. 线艺： DO3316P-272HC
R1、R2	2	电阻， 0805， 1K， 1%
R3	1	电阻 51K， 0805， 5%
R4	1	电阻 10K， 0805， 5%
Q1/2	1	晶体管， 双通道 MOSFET 仙童 FDS6890A 20V， 0.018Ω

 

图 3 显示了在 VTT 上承受 -3A 至 +3A 阶跃负载时的 VTT 和 VTTR。VTT的峰值电压偏差小于±40mV。

图3.顶部迹线：电压VTT（交流耦合）。底部迹线：电流ITT步进从-3A到+3A和从+3A到-3A。

图 4 显示了 VDDQ，随着 VDDQ 的上升和下降，VTT 跟踪到 VDDQ 的一半，显示 VTT 的变化是 VDDQ 变化的一半。

图4.顶部迹线：电压VTT（交流耦合）。底部迹线：2.5V VDDQ（交流耦合）。

已经表明，MAX1957可用作同步降压转换器的控制器，以提供终止电压V电传用于DDR_SDRAM系统。对于要求更高电流的应用，MAX1957的驱动电路能够驱动较大的外部功率MOSFET，输出电流高达20A。

审核编辑：郭婷