Cambridge GaN Devices 在 2023 年 APEC 大会上展示电力电子装置的可持续未来

3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四，佛罗里达州奥兰多橘郡会议中心

【2023年3月13日，英国剑桥讯】Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保技术半导体公司，致力于开发一系列节能的氮化镓 (GaN) 功率器件，旨在打造更环保的电子元件。该公司将在应用电力电子会议暨展览会 (APEC) 上展示多篇论文，分享关于可持续发展的策略观点并深入进行技术分析。公司主管人员将在大会上主持两场会议。CGD 将在305号展位上展示通过验证的参考设计和评估板，及新建立的 GaN 合作伙伴生态系统。
 

Giorgia Longobardi | CGD 首席执行官 “电力电子产业以及其他领域现在逐渐认识到，氮化镓技术将在实现更高效率、高性能、更轻巧、具有可持续性的电子解决方案的过程中发挥关键作用。通过参加 APEC 等重要的国际活动，我们有机会向来自各行各业和市场的观众说明并展示我们的技术。”

 
CGD 将在 APEC 上展示四篇论文：

l 3 月 21 日星期二，上午 11:05-11:30 –“GaN 动态 Rds(ON) 概述和 0V GOFF 在实际应用中的量化性能优势”。
 
l 3 月 21 日星期二，上午 11:05-11:30 –“运用 GaN 实现碳减排目标”。
 
l 3 月 21 日星期二，下午 1:30-2:00 – 参展商研讨会：“ICeGaN™ 650V 功率 GaN IC 助力高功率应用实现全新水平的效率、耐用性和可靠性”。
 
l 3 月 23 日星期四，下午 3:00-3:25 –“具有出色栅极过压耐受性的 GaN HEMT”。
 
美洲分公司业务开发部副总裁 Peter Di Maso 将在 3 月 23 日星期四上午 8:30（美国东部标准时间）主持以 WBG 应用为题的 IS19 会议，另外应用工程总监 Peter Comiskey 将在 3 月 23 日下午 1:45（美国东部标准时间）主持以宽带隙 (WBG) 装置为题的 IS25 会议。
 
CGD 将在 305 号展台上进行一系列展示，包括业界首个简单易用且可扩展的 650V GaN HEMT 系列。ICeGaN™ H1 单晶片 eMode HEMT 可像 MOSFET 一样驱动，不需要特殊的栅极驱动器、复杂且有损耗的驱动电路，没有负电压电源要求，也不需要额外的钳位元件。展示内容包括半桥、350W LLC、350W PFC、65W QRF 和 3kW LLC 评估电路，此外还有热特性展示，以及与 Neways 合作使用 GaN 开发的 3kV 光电太阳能逆变器样品展示。
 

Andrea Bricconi | CGD 首席商务官 “对于电力电子工程师而言，这是一个令人振奋的机会，CGD 诚挚地欢迎大家畅所欲言，我们也将慷慨分享我们的技术。”

关于 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂半导体公司，由来自剑桥大学的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于 2016 年创立，旨在探索功率器件的革命性技术。公司的使命是通过高效易用的 GaN 解决方案为日常生活带来创新体验。CGD 从事 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发及商业化，从根本上改进器件能效和尺寸，并使其适合量产。CGD 拥有领先的创新技能和宏图大志，不断扩大知识产权组合，为 ICeGaN™ 技术奠定了强大的基础。除了数百万的种子基金，以及 A 轮融资和现在的 B 轮私人融资，CGD 目前已有四个项目成功获得 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 的资助。CGD 团队拥有深厚的技术和商业专业知识，在电力电子市场备受认可，拥有良好的业界口碑，促使公司的专利技术在初期便受到市场青睐。
 

联系方式 www.camgandevices.com