反激变换器的吸收电路讲解

上节讲了一下反激的RCD吸收电路及大致参数的选取，RCD吸收电路成本低廉，所以应用最为广泛，但是也有其局限性，一般用在窄输入范围电压下，因为随着输入电压的变高，初级的峰值电流见小，自然漏感中储存的能量也会见小，吸收电容上的电压值就会过低，及钳位电压过低，如果钳位电压变低，可能导致反折电压比钳位电压大，则原边钳位电路就会增加很大的损耗，变换器的整体效率也会变低。

下面介绍一种DD吸收（二极管和TVS，TVS是瞬态抑制二极管）电路

二极管D和TVS管组成的吸收电路

由于TVS管的击穿电压基本都是稳定的，而反激变换器随着输入电压变高，原边电流见小，漏感储存的能量也会相应的减小，所以加TVS管吸收电路的损耗是随着输入电压升高而降低的，适合宽范围输入的反激变换器，而且用到的TVS相比于RCD里的吸收电阻体积较小。

上图的R1和C1也是可以不加的，加R1和C1的主要作用是：当mos管电压还未上升到TVS击穿电压时，可以有一部分能量被C1储存起来，加RC的目的主要是为了防止线路上有震荡，对优化EMI有一定的好处，这个参数要自己实验得出。有的电路还会在TVS管和二极管D之间加一个小的电阻，也是为了防止震荡的，对优化EMI也有一定的用处，但是这个位置的电阻不能加的过大，否则TVS管就无法导通，导致钳位失去作用，最终可能造成主功率管损坏。

下面介绍另一种反激变换器吸收电路

三绕组吸收反激电路

三绕组吸收反激电路

这个是利用变压器多加一个绕组来实现磁复位的，一般绕组的NP和N3的绕组匝数为1:1，这种方式的效率会稍高，因为在开关管关断时，变压器漏感的能量会由N3绕组经过二极管回馈到输入端，所以损耗不大，吸收效果也较好。

但是这种结构也会有缺点，变压器需要多增加一个绕组，而且要和NP绕组双股并绕，工艺复杂，变压器体积和成本都会增加，一般只能工作在占空比小于0.5的时候，当占空比大于0.5，变压器就不容易复位。