反激变换器MOS管关断时DS波形分析

先讲连续时或临界时MOS管DS波形，在讲断续模式下mos管Ds波形。

1，CCM模式或者CRM模式下MOS管DS波形

如图是CCM或者是CRM模式下DS波形，铅笔为电感lp的电流波形

在开关管关断时，漏感Llk储存的能量没有办法对副边释放，关断的瞬间开始对开关管的DS电容进行充电，从上述t0时刻开始，当mos管DS电压达到输入电压Vin时刻，即t1时刻，等效电路如下所示

上图是to-t1时刻的等效电路

开关管完全截止，此时副边的二极管开始开通，主电感能量开始向副边释放能量，而变压器的漏感能量会继续给开关管的DS容及寄生容冲电，当电压达到Uin+Ucmin时，吸收二极管开始导通（这个点图中忘做标记了，这个点电压是比Uin+Uclamp稍低一点），吸收二极管导通后，会对电容c继续充电，直到达到最大电平Uin+Uclamp。在t2之前会有一个1/4的震荡过程，这个过程是漏感Llk和电容c进行谐振产生的。这个过程等效电路如下图所示

图示是t1-t2等效电路图

当电压达到最大点的时候，此时漏感储存的能量基本已经释放完毕，不再向吸收电容上充电，所以mos管DS两端的电压也开始往下掉，此时漏感会和mos管DS容及寄生容发生高频震荡，由于mos管DS两端端容要远小于吸收电路的电容c，所以漏感和mos管DS容产生的振荡频率是比较高的，此时电容C上的能量也开始通过R进行释放，直到电平到达稳定Uin+Uor时结束，及t3，t3后面都是主感量Lm向副边释放能量的过程，直到下一个开关管开通信号来临。

2，DCM模式下MOS管DS波形

DCM模式下MOS管关断时DS两端波形，铅笔为Lp电流波形

断续模式下前面一直到t4过程都是一样的，只是多了一个t4-t5阶段

下面介绍一下t4-t5阶段，在t4阶段结束时，是Lp能量释放完毕的过程，在Lm能量释放完毕过后，开关管仍然是关闭的，此时Lp，Llk和Mos管DS电容发生振荡的过程，振荡波形的中心点电压为Uin。

上面就是反激变换器MOS管DS波形典型波形分析，上面是个人理解，有问题请留言指正。

后面讲RCD吸收电路的参数影响及如何选择。