半导体激光器的发展历史

20 世纪60年代初期的半导体激光器是同质结型激光器，它是在一种材料上制作的 pn 结二极管。在正向大电流注入下电子不断地向 p区注入，空穴不断地向n区注入。于是 ，在原来的pn结耗尽区内实现了载流子分布的反转， 由于电子的迁移速度比空穴的迁移速度快， 在有源区发生辐射、复合，发射出荧光，在一定的条件下发生激光 ，这是一种只能以脉冲形式工作的半导体激光器。半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器， 它是由两种不同带隙的半导体材料薄层 ，如GaAs， GaAlAs 所组成， 最先出现的是单异质结构激光器(1969 年)。单异质结注入型激光器(SHLD)GaAsP -N 结的 p 区之内 ，以此来降低阀值电流密度， 其数值比同质结激光器降低了一个数量级， 但单异质结激光器仍不能在室温下连续工作 。

从20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展 ， 一类是以传递信息为目的的信息型激光器，另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器 。在泵浦固体激光器等应用的推动下，高功率半导体激光器(连续输出功率在100mw以上，脉冲输出功率在 5W 以上，均可称之谓高功率半导体激光器)。

在 20 世纪90年代取得了突破性进展，其标志是半导体激光器的输出功率显著增加，国外千瓦级的高功率半导体激光器已经商品化，国内样品器件输出已达到 600W。如果从激光波段的被扩展的角度来看，先是红外半导体激光器，接着是 670nm 红光半导体激光器大量进入应用，接着，波长为650nm、635nm的问世 ，蓝绿光、蓝光半导体激光器也相继研制成功，10mW 量级的紫光乃至紫外光半导体激光器，也在加紧研制中。20世纪90年代末，面发射激光器和垂直腔面发射激光器得到了迅速的发展，且已考虑了在超并行光电子学中的多种应用。980nm、850nm和780nm的器件在光学系统中已经实用化。目前，垂直腔面发射激光器已用于千兆位以太网的高速网络。

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