东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性,有助于提高电源效率

电源/新能源

3522人已加入

描述

中国上海,2023330——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺,可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
 
东芝
 
TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ(最大值)的低漏源导通电阻,与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与此同时,与东芝现有产品“TPH9R00CQH4[4]”相比,反向恢复电荷减少约74%,反向恢复[5]时间缩短约44%,上述指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。新产品面向同步整流应用[6],降低了开关电源的功率损耗,有助于提高系统效率。此外,与TPH9R00CQH相比,新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压,有助于降低电源的EMI。
 
该产品采用业界广泛认可的表面贴装型SOP Advance(N)封装。
 
此外,东芝还提供支持开关电源电路设计的相关工具。除能够迅速验证电路功能的G0 SPICE模型外,现在还提供能够准确地再现电路瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
 
东芝利用该产品还开发出了“用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器”与“采用MOSFET的3相多电平逆变器”参考设计。即日起可访问东芝官网获取上述参考设计。除此以外,新产品还可用于已发布的“1kW全桥DC-DC转换器”参考设计。
 
东芝将继续扩大自身的功率MOSFET产品线,以降低功率损耗、提高电源效率,并助力改善设备效率。
 

应用

-     工业设备电源,如用于数据中心和通信基站的电源
-     开关电源(高效率DC-DC转换器等)
 

特性

-     业界领先的[2]低导通电阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)(VGS=10V)
-     业界领先的[2]低反向恢复电荷:Qrr=34nC(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)
-     业界领先的[2]快速反向恢复时间:trr=40ns(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)
-     高额定结温:Tch(最大值)=175℃
 
 

主要规格

(除非另有说明,Ta=25℃)

器件型号 TPH9R00CQ5
绝对最大
额定值
漏极-源极电压VDSS(V) 150
漏极电流(DC)ID(A) TC=25℃ 64
结温Tch(℃) 175
电气特性 漏极-源极导通电阻
RDS(ON)最大值(mΩ)
VGS=10V 9.0
VGS=8V 11.0
总栅极电荷Qg典型值(nC) 44
栅极开关电荷QSW典型值(nC) 11.7
输出电荷Qoss典型值(nC) 87
输入电容Ciss典型值(pF) 3500
反向恢复时间trr典型值(ns) -dIDR/dt=100A/μs 40
反向恢复电荷Qrr典型值(nC) 34
封装 名称 SOP Advance(N)
尺寸典型值(mm) 4.9×6.1×1.0
库存查询与购买 在线购买

 
参考设计:“用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器”

东芝

东芝
 
参考设计:“采用MOSFET3相多电平逆变器”

东芝

东芝
 
注:
[1] 截至2023年3月的数据。
[2] 截至2023年3月,与其他150V产品的对比。东芝调查。
[3] 采用当前一代U-MOSVIII-H工艺的150V产品。
[4] 产品采用与TPH9R00CQ5相同的生产工艺,并具有相同的电压和导通电阻。
[5] MOSFET体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。
[6] 如果新产品用于不执行反向恢复操作的电路,则功耗相当于TPH9R00CQH的水平。
 
如需了解有关新产品的更多信息,请访问以下网址:
TPH9R00CQ5
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.TPH9R00CQ5.html
 
如需了解新产品的更多相关内容,请访问以下网址:
U-MOS X-H系列150V MOSFET是高效率开关电源的理想选择
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/articles/u-mos-x-h-series-150v-mosfet-ideal-for-efficient-switching-power-supplies.html
通过搭载了150V MOSFET的多电平逆变器来提高效率
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/articles/efficiency-improvement-by-multi-level-inverter-with-150v-mosfet.html
 
如需了解东芝MOSFET产品的更多信息,请访问以下网址:
MOSFETs
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html
 
如需了解有关新产品在线分销商网站的供货情况,请访问以下网址:
TPH9R00CQ5
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH9R00CQ5.html
 
*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,但如有变更,恕不另行通知。
 

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
评论(0)
发评论
晟1000 2023-03-30
0 回复 举报
东芝TPH9R00CQ5的Ciss比我们的好,但Rds(on)没有我们的好,我们最高的是6.5mΩ(最大值) 收起回复

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分