我们常用存储器知道有哪些嘛

存储器按存储介质特性来说，可以分为两类，一类就是易失性存储器，一类是非易失性存储器。从计算机角度上看，易失性存储器可以理解为内存，而非易性存储器可以理解为硬盘。

易失性存储器的特点：掉电丢失数据，但存取数据速度很快。

而非易性存储器最大的特性：掉电不丢失数据，可用于长期存储数据。

易失性存储器

易失性存储器的代表就是RAM，即随机存储器。RAM通常作为操作系统或者系统正在运行中的程序的临时数据存储介质。按照存储结构，RAM又分为两种，一种为DRAM(DynamicRAM)即动态随机存储器，另一种为SRAM(StaticRAM)即静态随机存储器。

SRAM

SRAM存储单元以锁存器来存储数据，不用周期性刷新，速率很快，但成本比较高。在正点原子的战舰开发板中就有一个SRAM芯片(XM8A51216)，容量为8Mb，庐山真面目如下：

DRAM

DRAM存储单元以电容的电荷来表示数据，电容存在充放电现象，所以需要规律性定时刷新。而DRAM又可以分为SDRAM、DDRSDRAM、DDRIISDRAM、DDRIIISDRAM和DDRIVSRAM。

SDRAM(SynchronousDRAM)同步动态随机存储器，即数据的读写需要时钟来同步，这里只用到时钟的一个边沿。SDRAM相比SRAM来说，容量更大，但是读写速度不如SRAM。在正点原子的阿波罗F429开发板中就有一个SDRAM芯片，容量为32MB，庐山真面目如下：

DDRSRAM相比SDRAM，速度上更快，时钟的双边沿都用来表示数据。而DDRIISRAM、DDRIIISRAM和DDRIVSRAM则在时钟频率上进行提升。现在电脑内存条普遍是DDR3或DDR4了。

非易失性存储器

非易失性存储器种类比较多，分别是ROM、FLASH以及外部大容量存储器。

ROM

ROM(ReadOnlyMemory)只读存储器，又分为MASKROM(掩模ROM)、OTPROM(一次可编程ROM)、EPROM(电可擦写ROM)和EEPROM(电可擦写可编程ROM)。

MASKROM：真正意义上的只读存储器，一次性由厂家用特殊工艺固化，用户无法修改。

OTPROM：由用户用专门设备来一次性写入数据，只能写入一次。

EPROM：可重复擦写，解决只能一次写入的问题，但需要用专门的设备去操作，已被EEPROM取代。

EEPROM：可实现重复擦写，直接用电路控制，不需要专门的设备来进行擦写。且操作单位为字节，并不需要操作整个芯片。EEPROM现在已是主流。正点原子所有开发板都有使用到EEPROM，用来存储一些配置信息。

FLASH

FLASH跟ROM相比，容量更大，但是操作的单位为多字节并不是一个字节。FLASH分为NORFLASH和NANDFLASH，这两者在嵌入式开发中都是很常用的存储器。

NORFLASH得益于地址线和数据线分开，可以以“字节”读写数据，所以允许程序直接在上面运行。在正点原子的北极星板子上，就是用NORFLASH存储核心代码。

NANDFLASH对比NORFLASH在成本上有很大的优势，但是存在坏块问题(NAND通常是以块为单位进行擦除，块内有一位失效整个块就会失效)。

外部大容量存储器

外部大容量存储器就有磁盘存储器(硬盘和软盘)、光盘存储器和SD卡。

磁盘存储器，容量大，使用寿命长但价格贵，主要是用在个人PC中，较少用在嵌入式开发中。

光盘存储器：用光学方式读取/写入信息的圆盘，一般用于多媒体信息载体，较少出现在嵌入式领域中。

SD卡：体积小，安全性也高。简单设计一下外围电路即可支持嵌入式开发，是常见的外部存储器。