思瑞浦高性能模拟芯片和嵌入式处理器——TPM650xQ

嵌入式技术

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描述

高性能模拟芯片和嵌入式处理器

TPM650xQ

聚焦高性能模拟芯片和嵌入式处理器研发的半导体公司——思瑞浦3PEAK(股票代码:688536)推出高性能汽车级推挽变压器驱动芯片TPM650xQ系列。

TPM650xQ系列内置MOS管,耐压达到25V,支持全温度范围-40°C至+125°C可靠工作。通过极具竞争力的产品性能,TPM650xQ系列广泛应用于汽车总线接口、工业仪器等需要隔离供电的终端领域

TPM650xQ产品特性    

宽输入范围:2.25-5.5V

多种固定频率版本:160kHz、420kHz、2.2MHz

抖频功能:提供抖频功能,降低EMI设计难度

支持EN:

TPM6501xQ系列无EN引脚

TPM6505xQ系列有EN引脚

外部CLK:

内置频率160k和420k两种可选

外置频率范围从100kHz至1600kHz

低Rds(on):

Rds(on) 0.23Ω@Vcc=4.5V

支持宽范围工作温度:-40℃至+125℃

丰富的保护功能:原边1.5A逐周期限流保护、OTP保护、欠压保护

软启动功能:可选有/无软启动,降低启动时电压应力

封装:SOT23-5、SOT23-6

驱动芯片

TPM650xQ不同版本配置

TPM650xQ典型应用    

【典型应用1】3.3V-5.5V/3.3V-5V直接转换

应用:5V转5V/3.3V/12V, 3.3V转3.3V/5V/12V

特点:结构简单,易于使用,适用于输入和输出电压在3-5V之间 

驱动芯片

典型应用1

驱动芯片

驱动芯片

典型应用1的效率和负载调整率曲线

【典型应用2】低温升12V转12V/15V双路隔离输出

应用:单电压12V输入,转双路隔离12V/15V/20V输出 

特点:VIN可以超过5.5V;开关损耗由外部MOS承担,芯片的温度降低 

驱动芯片

典型应用2

驱动芯片

典型应用2的效率和交叉调整率特性

【典型应用3】高集成度5V转双路隔离20V方案

应用:5V转20V(或23V, 然后通过TPR431分压可以+15V和-8V)   特点:一颗推挽变压器实现双路隔离输出;输出是输入电压4倍   

驱动芯片

典型应用3

驱动芯片

典型应用3的效率和交叉调整率特性

驱动芯片

TPM650xQ系列现提供样品支持,样品申请或产品咨询请发送邮件至business@3peak.com或联系授权代理。

 

驱动芯片

 

编辑:黄飞

 

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