存储技术
闪存芯片上的闪存颗粒质优与否,关系到闪存芯片的读取速度、容量、寿命以及价格等结果。闪存颗粒是存储原料,闪存颗粒可以说是闪存芯片的核心。存储芯片所使用的闪存颗粒类型、等级、品牌均影响着产品的性能、特性、品质,以下我们从闪存颗粒类型了解闪存芯片的核心—数据“仓库”。
闪存颗粒类型
采用闪存颗粒来进行存储是闪存芯片的主要特点,可以说闪存颗粒就像仓库,用来存放大量数据。根据密度差异闪存颗粒会主要分为SLC、MLC、TLC、QLC、PLC(未面世)五种类型:
SLC(全称:Single-Level Cell)
又称为单层式储存 ,即每单元存储1bit信息(1bit/cell)。一个萝卜一个坑的存储容量,这也意味着采用SLC颗粒的闪存芯片容量注定不会太大,但除了这个“缺憾”之外,SLC的其他方面则要更加优于其他类型的闪存颗粒。
SLC的擦写寿命是5种颗粒中最长的,能够达到约10万次。另外SLC也是五种颗粒类型中读写速度最快、读写数据最精确、质量最好同时造价也是最贵的颗粒。
MLC(全称:Multi-Level Cell)
又称为双层式储存 ,即每单元存储2bit信息(2bit/cell)。存储容量比SLC大,成本相对于SLC大大降低。
但MLC的擦写寿命要比SLC差不少,仅能够达到约1万次。且相较于SLC,MLC的读写速度、质量、精确度次于SLC,成本相对高于除SLC以外的其他颗粒,目前多用于工业存储中。
TLC(全称:Trinary-Level Cell)
又称为三层式储存 ,即每单元存储3bit信息(3bit/cell)。到此可以看出这五种闪存颗粒每单元可存储的信息是层层递进的,都是在上一个的基础上+1bit信息,容量越来越大。
TLC是目前最常见到的闪存颗粒,应用非常广泛,其擦写寿命能够达到约1000次。虽然在数据上,TLC的读写速度、颗粒质量以及寿命都不及SLC和MLC,但其成本低得多,如果作为日常使用其实能完全满足普通消费者的需求。目前TLC多用于市面上的固态硬盘中。
QLC(全称:Quad-Level Cell)
又称为四层式储存 ,即每单元存储4bit信息(4bit/cell)。其擦写寿命相对较短,仅能够达到150次,但存储密度最大、成本也最低,优势还是很明显的。目前主要应用于大容量的固态硬盘。
PLC(全称:Penta-level cell)
又称为五层式储存,即每单元存储5bit信息(5bit/cell)。该闪存颗粒目前还没有正式产品发布,但有希望在未来的几年内问世,相信能够为SSD产品带来更大的存储空间和单元存储更低的成本。不过PLC的推广将很大受限于它的速度和寿命,还需进一步了解。
根据上述内容可将闪存颗粒按照数据稳定性、速度以及价格排序为SLC>MLC>TLC>QLC>PLC,容量则相反SLC<MLC<TLC<QLC<PLC。固态硬盘品牌多数使用的是TLC闪存颗粒,虽然速度和寿命上不及使用SLC和MLC颗粒的固态硬盘,但搭配上优秀的主控以及高速接口,运用了3D NAND技术的3D TLC颗粒实现了性能跃进。
编辑:黄飞
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