肖特基二极管的反向恢复过程

肖特基二极管以发明人肖特基博士(Schottky)命名。

SBD(Schottky Barrier Diode)是肖特基势垒二极管的缩写。

不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。

肖特基的两个主要特点，一个是正向导通压降比较低，一般在0.15~0.5V之间，导通压降低可以提高系统的效率。

另一个特点是反向恢复时间短，一般在几个纳秒。

所以肖特基二极管一般用作高频、大电流整流、低压、续流二极管、保护二极管等。

二极管从正向导通到反向截止有一个反向恢复的过程，而不是立即由导通到截止。

 

 

对上述的肖特基二极管上加电压。

在0-t1时间内，给二极管加正的VF电压，二极管导通，流过二极管的电流IF=(VF-VD)/RL，VD是二极管的导通压降。

在t1后，将V1由VF改为-VR，理想条件下，二极管会立刻截止，反向电流IR很小。

 

 

但实际情况是，二极管并不是立刻截止，而是由正向IF变为一个很大的反向电流IR=VR/RL，维持Ts时间后，IR再慢慢降低到一个很小的值，差不多是0.1倍IR，时间为Tt，这时的二极管才进入反向截止状态。

通常把二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程称为反向恢复过程。

其中Ts称为存储时间，Tt称为渡越时间，Ts+Tt称为反向恢复时间。

由于反向恢复时间的存在，使二极管的开关速度受到限制。

 

 

审核编辑：汤梓红