硅衬底GaN LED技术的应用机遇与挑战

‍ ‍   2023年3月30日，由TrendForce集邦咨询旗下LEDinside、WitsView主办的集邦咨询新型显示产业研讨会圆满召开，上千名产业上下游代表共襄盛举，共论新型显示行业未来。晶能光电外延工艺经理周名兵参加会议并分享了干货满满的《硅衬底GaN LED技术于Mini/Micro LED产业应用机遇与挑战》。

Micro LED作为“终极显示技术”其在未来拥有千亿级的市场，报告指出了Micro LED的优势及面临的挑战。面向AR应用，Micro LED在亮度、能效、可靠性、响应时间、色彩饱和度、厚度、尺寸等方面具有优异的性能，市场潜力巨大，但目前也存在较大的技术挑战，包括有效EQE有待提升；生产成本高，生产良率低；亮度一致性差；灰度响应/亮度渐变效果差；尚无理想的全彩方案等。   大尺寸硅衬底GaN LED技术已经成为开发面向AR微显Micro LED的主流路线，国内外大多数的Micro LED公司都在研究，主要是基于硅衬底的Micro LED具有大尺寸、低成本、高波长一致性、无损去除、低翘曲、CMOS兼容性等优点。

晶能光电在硅衬底GaN技术领域已深耕近二十年，在蓝光LED领域率先实现全球产业化。公司将硅衬底GaN根技术应用于Micro LED，于2021年9月成功制备了RGB硅衬底Micro LED阵列，迈出了全彩化Micro LED芯片的关键性一步，成为全球第二家、国内第一家掌握硅衬底RGB三色Micro LED芯片技术的公司。   对于实现全彩Micro LED来说，红光LED是Micro LED技术的重大瓶颈之一，其效率、FWHM和波长漂移将会面临重大挑战。晶能光电在InGaN红光LED外延方面取得了峰值EQE11.8%@1mm2的成果，处于行业领先水平。目前，晶能光电可向国内外客户提供标准厚度8英寸RGB InGaN LED外延片。   今年初，晶能光电开发出5 微米pitch的像素矩阵，年底将发布带驱动的RGB三色阵列。接下来，我们将运用硅衬底Micro LED显示技术，在AR眼镜、矩阵车灯、HUD等方向，探究硅衬底Micro LED技术的产业化。    

编辑：黄飞