常用电子元器件的识别

在开始这篇文章前，我们先了解一下什么是电子元器件。 电子元器件是电子元件和小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用;常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称，常见的有二极管等。 通俗点来说，用于制造或组装电子整机用的基本零件可以被称为元器件，元器件是电子电路中的独立个体。 

常用电子元器件的识别

一、电阻

电阻器我们习惯称之为电阻，是电子设备中最常应用的电子元件之一， 电阻在电路中用“r”加数字表示，如：r13表示编号为13的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。

参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（kΩ），兆欧（MΩ）等。换算方法是：1兆欧（mΩ）=1000千欧（kΩ）=1000000欧 电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。 1.数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示 47×100Ω=即4.7k；103 表示10000Ω（10后面加三个0）也就是10kΩ 2.色环标注法使用最多，第一道色环表示阻值的最大一位数字，第二道色环表示第二位数字，第三道色环表示阻值未应该有几个零，第四道色环表示阻值的误差。

电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：

二、电容

电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容在电路中一般用“c”加数字表示，如c223表示编号为223的电容电容的特性主要是隔直流通交流。

电容器的主要参数也有两个，标称电容量和允许误差。

1、标称电容量，指电容器上标注的电容量，电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。

容抗xc=1/2πf c

(f表示交流信号的频率，c表示电容容量) 

识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，也分直标法、色标法和数标法三种。电容的基本单位用法拉（f）表示，其它单位还有：毫法（mf）、微法（uf）、纳法（nf）、皮法（pf）。其中，1法拉=10^3毫法=10^6微法=10^9纳法=10^12皮法

直标法：容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如2200 uf/10v

字母表示法：152m=1500pf

数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：10^2表示10×10^2pf=1000pf

2、允许误差分三级，同于电阻器误差的表示方法。微调电容器和可变电容器标出了它的电容量的最小值和最大值，如7／270p

三、电感

电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。

电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L3表示编号为3的电感。 

电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。电感的基本单位为：亨（h） 换算单位有：1h=10^3mh=10^6uh。

四、二极管

二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。

五、三极管 三极管， 也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

六、MOSFET管 mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

编辑：黄飞